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高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號,這些信號通常是微伏數(shù)量級的信號或者低于-100 dBm,然后將該信號放大至一個更有用的水平,通常約為0....
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案,并提供應...
實現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應對當前增長的人口和能源需求的一個關(guān)鍵技術(shù)目標。能夠有效推動這一目標達成的重要創(chuàng)新就是在電源應用中使用氮化鎵 (GaN)。
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓...
基于模型的GaN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識:內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識:內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
基于系統(tǒng)的可靠性保證實現(xiàn)GaN射頻功率器件產(chǎn)品的高可靠性
氮化鎵射頻器件能夠突破硅基器件的理論極限,實現(xiàn)高頻率/寬頻帶、高功率、高電壓、高效率及高使用溫度的特性,而被逐漸廣泛應用于移動通信行業(yè)。移動通訊基站要求...
自問世以來,氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀元。GaN 技術(shù)的三個最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場和電子遷移率。當這些參數(shù)結(jié)合起來時,由于 GaN 晶...
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
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