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gan技術

氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領域具有重...

2025-06-11 標簽：半導體 GaN 射頻器件 550 0

淺談GAN在汽車里面的應用案例

從全球來看，豪華電動汽車趨向于采用800V系統(tǒng)，核心優(yōu)勢是電流小（銅線少）、更低的傳導損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年，中國的15萬在研產品都會...

2023-10-07 標簽：電動汽車汽車電子 GaN 543 0

目前GaN正逐漸廣泛應用的四個主要中電壓領域

這篇技術文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應用領域的優(yōu)勢和應...

2025-02-14 標簽：氮化鎵 GaN 538 0

TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 mcu PWM 534 0

GaNPX?和PDFN封裝器件的熱設計

氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設計出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統(tǒng)，從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...

2025-02-26 標簽：GaN 熱設計 532 0

一種結合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管

這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數(shù)十億美元的市場。例如，碳化硅現(xiàn)在是電動汽...

2024-01-18 標簽：半導體晶體管 SiC 530 0

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰(zhàn)略

在汽車和可再生能源領域，英飛凌已經獲得了重大的設計勝利，相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英...

2023-11-27 標簽：英飛凌 SiC GaN 530 0

技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET，集成驅動器、保護和電流感應

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...

2025-02-24 標簽：FET GaN 柵極驅動器 518 0

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境

GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領域；GaN MOSFET 主打高頻領域。

2022-10-19 標簽：SiC GaN 516 0

基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模

GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems...

2025-03-11 標簽：RC GaN 熱仿真 512 0

功率GaN：高效功率轉換的需求

隨著社會壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業(yè)加大投資，以提高電源轉換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技...

2023-02-09 標簽：電動汽車逆變器 GaN 507 0

PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間，從而降低了死區(qū)...

2024-11-01 標簽：二極管 GaN 快充芯片 507 0

產品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級

LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵（GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...

2025-02-26 標簽：驅動器氮化鎵 GaN 503 0

BOOSTXL-LMG2100-MD 評估模塊的用戶指南

BOOSTXL - LMG2100 - MD 評估模塊，在本文檔中也稱為 “EVM”，通過基于分流器的精確電流檢測，實現(xiàn)了具有精確相電流控制的氮化鎵（G...

2025-02-21 標簽：接口逆變器 GaN 502 0

氮化鎵（GaN）無刷直流電機驅動提升效率、減小尺寸和降低成本方面

本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機驅動應用中的優(yōu)勢展開研究，通過設計實例和實驗數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...

2025-04-24 標簽：氮化鎵 GaN 無刷直流電機驅動 500 0

TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 ...

2025-02-21 標簽：FET 氮化鎵 GaN 499 0

GaN E-HEMTs的PCB布局經驗總結

2025-03-13 標簽：GaN PCB布局 Pcb layout 495 0

TI LMG2610詳解具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋

2025-02-20 標簽：轉換器 ti FET 493 0

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測...

2025-02-27 標簽：測量 GaN HEMT 492 0

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低電壓、高速驅動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內具有更高的逆變器開關頻率，以最大限度地減少電機中的損耗和轉矩紋波。...

2025-02-26 標簽：驅動器逆變器 GaN 490 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結合物聯(lián)網、云計算、移動互聯(lián)網和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關愛的家庭生活方式。
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