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技術資料#UCG28826 集成GaN的自偏置高頻QR反激式轉換器（65W）

UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT），可將交流轉換為直流，以實現高達 65W 的功...

2025-02-21 標簽：功率轉換器反激式轉換器晶體管 506 0

ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術手冊

ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...

2025-04-22 標簽：功率放大器氮化鎵 GaN 503 0

分立器件在GaN充電器中的應用

隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰：在高頻狀態下，電磁...

2025-04-15 標簽：充電器電磁干擾氮化鎵 500 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

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2023-02-02 標簽：半導體充電器氮化鎵 496 0

TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設計

此參考設計是一款 4kW 連續導通模式（CCM）圖騰柱功率因數校正（PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵（GaN）子板和TMS320F280025C...

2025-02-24 標簽：功率因數 PFC 氮化鎵 491 0

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管，帶有集成驅動器，這些驅動器配置在-個半橋中，具有所有必需的偏置電路和...

2025-02-25 標簽：電感 GaN 功率晶體管 490 0

如何從零開始構建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數據集 489 0

LMG3624評估模塊LMG3624EVM-081符合 USB Type-C? PD 標準的 65W 準諧振反激式轉換器

LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (P...

2025-02-20 標簽：電流檢測 GaN 接口控制器 488 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 484 0

TI LMG3624 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...

2025-02-20 標簽：電源 ti FET 484 0

HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技術手冊

HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 30 dBm 的輸入功率下，在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時帶寬上...

2025-03-11 標簽：功率放大器引腳 GaN 482 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz、39.5 dBm、GaN功率放大器技術手冊

ADPA1116 是一款 0.3 GHz 至 6 GHz 功率放大器，具有飽和輸出功率（P~OUT）~ 為 39.5 dBm，功率附加效率（PAE...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 481 0

PMP23146：45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設計用于服務器輔助電源

此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式（ACF），旨在實現最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元（PSU）提供輔助電源。UC...

2025-02-24 標簽：控制器服務器 GaN 481 0

TIDA-050074：140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計

此參考設計是基于氮化鎵（GaN）的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ）和輸出...

2025-02-24 標簽：充電器 usb 適配器 479 0

LMG3522EVM-042用戶指南：具有集成驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽車級 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期過流保護、鎖存短路保護功能和所有必要的輔助外圍電路。...

2025-02-24 標簽：過流保護 GaN 短路保護 477 0

TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋技術文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG...

2025-02-20 標簽：電源 FET GaN 476 0

應用筆記：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，帶集成驅動器

LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，L...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 474 0

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...

2025-02-21 標簽：FET GaN 柵極驅動器 472 0

PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數校正（PFC）轉換器參考設計

連續導通模式（CCM）圖騰柱功率因數校正（PFC）是一種簡單但高效的功率轉換器。為了達到 99% 的效率，需要考慮許多設計細節。PMP20873...

2025-02-25 標簽：功率因數功率轉換器 PFC 472 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導體功率器件氮化鎵 472 0

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