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LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 391 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 406 0
LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 436 0
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 410 0
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述
LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 387 0
TIDA-010936 適用于集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了采用三個(gè)具有集成式 GaN FET、驅(qū)動(dòng)器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V ...
2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 454 0
TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器,未來可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊,適用于中小型...
PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...
TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲(chǔ)能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
PMP31349 具有GaN開關(guān)的30V至60V輸入、240W 降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一種可從標(biāo)稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設(shè)計(jì)為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
2025-02-21 標(biāo)簽:電源降壓轉(zhuǎn)換器GaN 328 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
LMG3624評(píng)估模塊LMG3624EVM-081符合 USB Type-C? PD 標(biāo)準(zhǔn)的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測(cè)仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET,展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (P...
TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG...
TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器tiFET 476 0
從科幻走入現(xiàn)實(shí),人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
過去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器(TEXAS INSTRUMENTS)的 Srijan Ashok 撰寫,主要介紹了中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)...
UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊(cè) 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...
2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 874 0
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