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晶能光電創(chuàng)新能力獲權威認可通過國家企業(yè)技術中心認定
? ? 近日,國家發(fā)改委、科技部、財政部、海關總署、稅務總局五部委聯(lián)合發(fā)文,公布第29批新認定及全部國家企業(yè)技術中心名單,晶能光電被認定為國家企業(yè)技術中...
德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴產(chǎn)的另一大重點,則是模擬芯片。
Custom?MMIC的QPA4346D是款高功率MMIC放大器,選用Qorvo制造的0.15um?GaN?on?SiC工藝技術(QGaN15)。QPA...
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導體,廣泛應用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關鍵限制,特別是在器...
作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者,晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發(fā)。
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示,2021年,全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元,其中消費類電子市場為0.95億美元,通信與數(shù)據(jù)中...
來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中...
UMS?CHA7062-QCB是款兩級單片GaN功率放大器,在13-20GHz工作頻段內(nèi)展現(xiàn)5W飽和狀態(tài)輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...
氮化鎵(GaN)功率半導體應用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品,主要應用于無線充電件、電源開關、逆變器、交流器等領域。隨著技術水平的進步與成本控制,GaN材料...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結...
第三代半導體材料與傳統(tǒng)硅材料相比,有什么優(yōu)勢
隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應用,電力電子行業(yè)的技術革命已經(jīng)開始。這些新組...
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規(guī)半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對...
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場,這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象,正在進行對非極性或半極性氮化鎵...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應商Transphorm, Inc...
納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品,包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等...
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能參數(shù)。包括相對較高的...
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