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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3041個 瀏覽：253699次 帖子：482個

      igbt技術

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      高壓固態軟啟動柜是一種廣泛應用于工業領域的電氣設備，主要用于高壓電動機的啟動。它通過采用先進的電力電子技術，實現了對電動機啟動過程中電流和電壓的有效控制...

      2024-06-18 標簽：電氣設備軟啟動IGBT 887 0

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      第七代工業IGBT模塊已成功開發用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技...

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