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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動IGBT驅(qū)動電路 761 0
新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險(xiǎn)與應(yīng)對指南——從焊點(diǎn)看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機(jī)械失效(熱循環(huán)與振動導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞)、熱失效(高溫下焊點(diǎn)軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。
2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 752 0
請問大功率IGBT驅(qū)動保護(hù)器如何實(shí)現(xiàn)呢?
數(shù)字電路憑借其具有高穩(wěn)定性、高可靠性、可編程性、易于設(shè)計(jì)和經(jīng)濟(jì)性等突出特點(diǎn),其應(yīng)用日益普遍。
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
淺談瑞能逆導(dǎo)IGBT助推感應(yīng)加熱的卓越實(shí)力
以電磁爐為例,利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場,處于交變磁場中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會出現(xiàn)渦旋電流,渦旋電流的焦耳熱效應(yīng)使導(dǎo)體升溫,從而實(shí)現(xiàn)加熱的目的。
2024-06-19 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱瑞能半導(dǎo)體 743 0
針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 741 0
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐...
在開關(guān)過程中,晶體管短暫處于同時(shí)施加高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這會導(dǎo)致某些損失,這取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(見圖2)。目標(biāo)是最小化這些時(shí)間段。...
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-07-30 轉(zhuǎn)向綠色氫氣有望減少溫室氣體排放。來自水電、風(fēng)能和太陽能等可再生能源的電...
2024-10-02 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBTDC 716 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
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