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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電動(dòng)汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展報(bào)告
高電壓會(huì)導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例,950V電壓平臺(tái)相比450V電壓平臺(tái)增加成...
2023-03-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車壓縮機(jī)IGBT 558 0
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、...
在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場(chǎng)份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞...
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱...
電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān),如MOSFETs和IGBTs,被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...
Wolfspeed功率模塊對(duì)三相工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響
為了確保系統(tǒng)可行、正常運(yùn)行和優(yōu)化,我們使用不同的散熱器,將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%,...
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據(jù)國際能源署的報(bào)告,到 2026 年,可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場(chǎng)的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長至110.1億美元。報(bào)告指...
使用HY-HVL系列線性高壓直流電源進(jìn)行IGBT測(cè)試
功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、SiC、GaN等)是電力電子系統(tǒng)的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。絕緣柵雙極型...
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開關(guān)頻率下...
由于VFD /逆變器是提供電源的關(guān)鍵組件,因此它們的操作,性能和可靠性對(duì)于保持不間斷電源至關(guān)重要。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)關(guān)注即使在不利條件下也可幫助確保VFD的...
公開資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 488 0
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(2)
為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況,我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
UCC21710-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...
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