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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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固晶錫膏如何征服高功率封裝?一文破解高密度封裝的散熱密碼固晶
固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計(jì)的錫基焊料,通過冶金結(jié)合實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接,對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導(dǎo)熱(60-70W/m?K)、高強(qiáng)度(剪切強(qiáng)度...
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開關(guān)器件 421 0
UCC21750 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為工作電壓高達(dá) 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個工程術(shù)語,通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
當(dāng)前,半橋驅(qū)動器HPD2606X已可廣泛應(yīng)用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、吸塵器、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇等白色家電領(lǐng)域與電動工具、無人機(jī)等工業(yè)場合中。
FHF20T60A型號IGBT適用于破壁機(jī)馬達(dá)驅(qū)動
破壁機(jī)在人們?nèi)粘I钪幸呀?jīng)很常見了,終端客戶在使用的時候不僅僅關(guān)注外觀,更會關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達(dá)驅(qū)動的知識了。
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛...
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 323 0
TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時微控制器系列的一員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設(shè)計(jì),包...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲,采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 296 0
UCC15240-Q1 汽車類 2.5W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC15240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC15240-Q1 將變...
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