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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
UCC27526 具有 5V UVLO、使能和雙 TTL 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施,確保其安全穩(wěn)定運行。
2025-05-15 標簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 281 0
UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 2 級關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊
UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能...
功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,...
2025-05-14 標簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 274 0
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保...
ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強型隔離式柵極驅(qū)動器,適用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...
UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 266 0
UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車類 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動器(緩沖電路)解決方案。UCC27511A-Q1 器件是...
ISO5852S 5.7kVrms,2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S器件是一款 5.7kV RMS 增強型隔離式柵極驅(qū)動器,適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET,可提...
UCC27528-Q1 具有 5V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27528-Q1 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,能夠 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC...
2025-05-19 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 247 0
重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關(guān)
有時有趣的是,事情如何改善或惡化取決于你的觀點。從利用電力的那一天起,就存在完美的開關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀實驗者是這么認為的,他們用黃銅、木材和...
SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管
UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 242 0
ISO5451 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有主動保護功能數(shù)據(jù)手冊
ISO5451 是一款 5.7kV RMS 增強型隔離式柵極驅(qū)動器,適用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...
UCC21759-Q1 汽車級3.0kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護...
UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和...
UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
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