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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT怎么選擇?
工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計(jì)以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
2023-02-12 標(biāo)簽:UPS電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 967 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
車規(guī)級IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析
車規(guī)級IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件,其成本...
2024-07-22 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件汽車半導(dǎo)體 960 0
升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案
并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。
工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用
針對所有的應(yīng)用,人們越來越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...
2023-07-01 標(biāo)簽:IGBT雙極晶體管電動(dòng)馬達(dá) 953 0
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 952 0
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 946 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 939 0
UCC28180 18-kHz-250-kHz CCM PFC控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28180 是一款靈活易用的 8 引腳有源功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器,可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下工作,以實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、低電流失真和 ...
國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過程的波形。
電力電子系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器對IGBT保護(hù)的分析
如果短路發(fā)生在負(fù)載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場上的IGBT模塊只能防短路很短的時(shí)間。為了防止IGBT被熱負(fù)荷...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器igbt功率 930 0
功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
車載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電。隨著每年上市的...
2024-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 926 0
Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 922 0
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