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標(biāo)簽 > MOS

MOS

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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MOS簡(jiǎn)介

  MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

  一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

  場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

MOS百科

  MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

  一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

  場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

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mos知識(shí)

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mos技術(shù)

淺析MOS管工作原理及特性

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MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。

2018-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS 36.2萬 0

IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理詳解

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)...

2018-06-28 標(biāo)簽:IGBTMOS 16.0萬 0

如何區(qū)分P-MOS和N-MOS?如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導(dǎo)通?

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三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問題:

2018-07-17 標(biāo)簽:三極管二極管MOS 10.4萬 0

看看MOS管究竟是什么?MOS的三個(gè)極怎么判定?

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以上MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平切換)。再來看個(gè)MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧,MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子:由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路

2018-07-14 標(biāo)簽:二極管MOS管MOS 9.0萬 0

常用MOS電源開關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)

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隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...

2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開關(guān)電路 6.1萬 0

mos管電平轉(zhuǎn)換電路原理與mos電平轉(zhuǎn)換電路分析

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先來分享一下經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路: 電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見,因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來...

2021-04-09 標(biāo)簽:電路圖上拉電阻MOS管 5.7萬 2

13種常用的功率半導(dǎo)體器件介紹

電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...

2018-12-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 5.1萬 0

如何使用MOS管控制達(dá)到電源緩啟動(dòng)的目的

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MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),在周圍加上少量元器件就可以構(gòu)成緩慢啟動(dòng)電路。雖然電路比較簡(jiǎn)單,但只有吃透MOS管的相關(guān)開關(guān)特性后才能對(duì)...

2018-11-23 標(biāo)簽:電源電路MOS 4.1萬 0

mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下

2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS柵極 3.8萬 2

如何解決MOS管發(fā)熱問題?

如何解決MOS管發(fā)熱問題?

最近,做了一款小功率的開關(guān)電源,在進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)MOS管發(fā)熱很嚴(yán)重,為了解決MOS管發(fā)熱問題,要準(zhǔn)確判斷是否是這些原因造成,最重要的是進(jìn)行正確的測(cè)...

2018-08-20 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3.8萬 0

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mos資訊

mos管導(dǎo)通壓降多大?

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...

2017-11-26 標(biāo)簽:mos管mos 14.8萬 3

MOS管分幾種種類?

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...

2020-06-04 標(biāo)簽:MOS絕緣柵 4.2萬 0

Boot電容(自舉電容)的工作原理

Boot電容(自舉電容)的工作原理

高端管的驅(qū)動(dòng)方法有幾個(gè),如用隔離變壓器等。自舉型驅(qū)動(dòng)IC具有簡(jiǎn)單、實(shí)用的特點(diǎn),目前被廣泛地使用。下面簡(jiǎn)要地描述自舉的工作過程,目的是理清自舉的工作原理,...

2021-01-20 標(biāo)簽:MOSBoot自舉電路 4.0萬 0

MOS管是什么,詳細(xì)圖解MOS管的結(jié)構(gòu)原理

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MOS管是金屬 (metal) 氧化物 (oxide) 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬 絕緣體 (insulator...

2020-10-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS 3.9萬 0

mos管的基礎(chǔ)知識(shí)匯總

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G極(gate)—柵極,不用說比較好認(rèn) S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是...

2020-09-16 標(biāo)簽:MOS管MOS 2.7萬 0

4種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,你用過幾個(gè)?

4種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,你用過幾個(gè)?

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。

2022-09-18 標(biāo)簽:MOS管MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬 0

三極管和MOS管在選型時(shí)需注意哪些參數(shù)

三極管和MOS管在選型時(shí)需注意哪些參數(shù)

電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時(shí)要給電子元器件留夠余量才能保證電子元器件穩(wěn)定、長(zhǎng)久的工作。借助這個(gè)題目簡(jiǎn)單介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

2019-10-03 標(biāo)簽:三極管電子元器件mos 2.6萬 0

三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS的注意事項(xiàng)

三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS的注意事項(xiàng)

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件,要想使其充分導(dǎo)通,要求其柵極驅(qū)動(dòng)電壓的幅度要足夠大,而一些低壓IC電路(譬如3.3V供電的單片機(jī)電路)輸出幅度較小...

2020-02-12 標(biāo)簽:三極管MOS 2.5萬 0

MOS芯片市場(chǎng)是誰的天下?

部分MOS芯片貿(mào)易商極力向客戶推薦一種名為“打ST”的產(chǎn)品。一家名為“深圳市特加特科技有限公司”的商家介紹,他們銷售的“ST75N75”晶片是進(jìn)口的,但...

2018-05-13 標(biāo)簽:芯片mos 2.3萬 0

如何給317加mos擴(kuò)流

如何給317加mos擴(kuò)流

LM317是一款常用的三端穩(wěn)壓IC,在各種線性可調(diào)穩(wěn)壓電源中用的很廣,其最大輸出電流為1.5A,實(shí)際中若要求輸出更大的電流,可以通過外接大功率三極管的方...

2020-03-14 標(biāo)簽:MOS317 2.3萬 0

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mos數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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