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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
如何區(qū)分P-MOS和N-MOS?如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導(dǎo)通?
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問題:
以上MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平切換)。再來看個(gè)MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧,MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子:由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路
常用MOS電源開關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開關(guān)電路 6.1萬 0
mos管電平轉(zhuǎn)換電路原理與mos電平轉(zhuǎn)換電路分析
先來分享一下經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路: 電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見,因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木,這個(gè)電路模塊,加上那個(gè)電路模塊,拼拼湊湊連起來...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2018-12-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 5.1萬 0
如何使用MOS管控制達(dá)到電源緩啟動(dòng)的目的
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),在周圍加上少量元器件就可以構(gòu)成緩慢啟動(dòng)電路。雖然電路比較簡(jiǎn)單,但只有吃透MOS管的相關(guān)開關(guān)特性后才能對(duì)...
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
最近,做了一款小功率的開關(guān)電源,在進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)MOS管發(fā)熱很嚴(yán)重,為了解決MOS管發(fā)熱問題,要準(zhǔn)確判斷是否是這些原因造成,最重要的是進(jìn)行正確的測(cè)...
2018-08-20 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3.8萬 0
那些通用低壓MOS管可以相互替代場(chǎng)效應(yīng)管立即下載
類別:電源技術(shù) 2019-08-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管封裝MOS
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2019-05-05 標(biāo)簽:二極管適配器MOS
SL3036H內(nèi)置MOS開關(guān)降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載
類別:電源技術(shù) 2020-03-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PWMMOS
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理及作用詳細(xì)資料說明立即下載
類別:模擬數(shù)字 2019-12-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS
常用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用PDF電子書免費(fèi)下載立即下載
類別:電源技術(shù) 2020-04-02 標(biāo)簽:LEDMOS驅(qū)動(dòng)電路
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...
高端管的驅(qū)動(dòng)方法有幾個(gè),如用隔離變壓器等。自舉型驅(qū)動(dòng)IC具有簡(jiǎn)單、實(shí)用的特點(diǎn),目前被廣泛地使用。下面簡(jiǎn)要地描述自舉的工作過程,目的是理清自舉的工作原理,...
MOS管是什么,詳細(xì)圖解MOS管的結(jié)構(gòu)原理
MOS管是金屬 (metal) 氧化物 (oxide) 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬 絕緣體 (insulator...
2020-10-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS 3.9萬 0
4種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,你用過幾個(gè)?
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。
2022-09-18 標(biāo)簽:MOS管MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬 0
電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時(shí)要給電子元器件留夠余量才能保證電子元器件穩(wěn)定、長(zhǎng)久的工作。借助這個(gè)題目簡(jiǎn)單介紹一下三極管和MOS管的選型方法。
三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS的注意事項(xiàng)
由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件,要想使其充分導(dǎo)通,要求其柵極驅(qū)動(dòng)電壓的幅度要足夠大,而一些低壓IC電路(譬如3.3V供電的單片機(jī)電路)輸出幅度較小...
部分MOS芯片貿(mào)易商極力向客戶推薦一種名為“打ST”的產(chǎn)品。一家名為“深圳市特加特科技有限公司”的商家介紹,他們銷售的“ST75N75”晶片是進(jìn)口的,但...
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