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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流IC——FP8013開關(guān)穩(wěn)壓器,便攜式照明
FP8013是一種高效電流模式同步降壓調(diào)節(jié)器。主(P通道MOSFET)和同步(N通道MOSFET)開關(guān)都建立在內(nèi)部。在電流模式運(yùn)行時(shí),PWM占空比由誤差...
2023-10-31 標(biāo)簽:IC開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC 923 0
一個(gè)簡單的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
看了一眼這個(gè)電路,我感覺有問題,MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通,就跟同事講了,同事說這個(gè)電路是之前用過的,認(rèn)為沒有問題,于是就上電了。
隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動(dòng)力電池的日益成熟,電動(dòng)汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級(jí)車走向A級(jí)車及商用車,...
2023-12-18 標(biāo)簽:動(dòng)力電池華為MOS 901 0
目前觸控的需求幾乎覆蓋在所有應(yīng)用領(lǐng)域,它提供了一種用戶友好、高效的方法來控制或調(diào)整各種設(shè)備或應(yīng)用程序中的設(shè)置。
2024-01-13 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)RGBMOS 887 0
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對(duì)齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動(dòng)的速度快了70...
任何與電子產(chǎn)品打交道的人都會(huì)遇到波形發(fā)生器電路,如矩形波形發(fā)生器、方波發(fā)生器、脈沖波發(fā)生器等。 同樣,自舉掃描電路是一種鋸齒波發(fā)生器。 通常,Boots...
2023-03-17 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器發(fā)生器晶體管 856 0
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
低壓差線性穩(wěn)壓器AiP73XX系列產(chǎn)品介紹
低壓差線性穩(wěn)壓器,是一種輸入電壓大于輸出電壓的直流交流穩(wěn)壓器,可以分為雙極型和MOS型。雙極型LDO可以承受高輸入電壓,靜態(tài)電流為mA級(jí)別,MOS型LD...
當(dāng)IC穩(wěn)定工作后,復(fù)位電容E1已充滿電荷,其兩端電壓=VCC。當(dāng)電源掉電時(shí),因復(fù)位電容僅通過復(fù)位電阻R1放電,其電壓下降較慢,若當(dāng)RESET端電壓較高時(shí)...
2023-10-23 標(biāo)簽:芯片場(chǎng)效應(yīng)管緩沖器 829 0
廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè),各類電子設(shè)備中的MOS管,其封裝形式直接影響器件的性能、散熱效果和應(yīng)用環(huán)境的適應(yīng)性。封裝兼容性是指在相同電氣性能和尺寸下,不同封裝...
電測(cè)在失效分析中的作用 重現(xiàn)失效現(xiàn)象,確定失效模式,縮小故障隔離區(qū),確定失效定位的激勵(lì)條件,為進(jìn)行信號(hào)尋跡法失效定位創(chuàng)造條件
MOS管的話題雖說是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過,這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體工業(yè)(九)
在之前眾多技術(shù)的量變積累之上,終于觸發(fā)質(zhì)變效應(yīng),仙童半導(dǎo)體公司引入了平面化技術(shù),將之前的這些點(diǎn)技術(shù)集合到了一起。
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6291是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...
2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 791 0
MOS管通常是指MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的簡稱。MOSFET是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它的核心部件是氧化物門介質(zhì),能夠通過改變柵極電...
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備的功能日益強(qiáng)大,對(duì)功率管理的需求也越來越高。在這個(gè)快節(jié)奏的時(shí)代,我們需要一種先進(jìn)的元件來滿足不同應(yīng)用的電源管理需求。ASDM...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOS 777 0
FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片,輸入限流可調(diào)
FP6277是一個(gè)具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開關(guān)和30mΩ低側(cè)開關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...
2024-10-26 標(biāo)簽:芯片直流轉(zhuǎn)換器MOS 776 0
電子世界的開關(guān)大師:MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。
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