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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例
MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似,但又不完全相同,那么...
2025-03-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS電氣符號(hào) 1427 0
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
DIP-8封裝內(nèi)置4A MOS的電源芯片U6237D介紹
芯片封裝可以起到保護(hù)芯片的作用,相當(dāng)于是芯片的外殼,不僅能固定、密封芯片,還能增強(qiáng)其電熱性能。所以,封裝對(duì)CPU和其他大規(guī)模集成電路起著非常重要的作用。...
2023-07-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源封裝MOS 1419 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
2023-04-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBTMOS 1337 0
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性價(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性價(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
淺析Boost轉(zhuǎn)換器為適配不同的應(yīng)用有著全面的產(chǎn)品解決方案
電子產(chǎn)品中,總是可見(jiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換器的身影,DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì),縮短研制周期,實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)。
2022-07-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC-DCBoost 1334 0
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管甚至是雙二極管。
一概述 清洗行業(yè)隨著高壓水槍清洗機(jī)的出現(xiàn),逐漸取代傳統(tǒng)的機(jī)械清洗和化學(xué)清洗方式,以高壓水槍清洗機(jī)為主流的清洗行業(yè)逐漸形成科學(xué)、環(huán)保、高效率的清洗特點(diǎn),高...
異步整流主要由一個(gè)高邊MOS管和一個(gè)續(xù)流二極管構(gòu)成。這種整流方式之所以被稱為異步,是因?yàn)槠淅m(xù)流過(guò)程是自然發(fā)生的,與同步整流相比,它具有不同的工作原理。 ...
mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動(dòng)芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡(jiǎn)介 MOSFET是一種...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 1295 0
因?yàn)槟M信號(hào)經(jīng)過(guò)施密特觸發(fā)器后只有0/1兩種狀態(tài),因此信號(hào)源輸入在施密特觸發(fā)器前。類似地,當(dāng)GPIO 引腳用于DAC 作為模擬電壓輸出通道時(shí),DAC 的...
在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下,實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,通過(guò)MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比,控...
ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介和常見(jiàn)問(wèn)題解答
ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...
國(guó)產(chǎn)化顯示器接口芯片:Type-C接口臺(tái)式顯示器方案
LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道(不需要另外像其他家方案需通過(guò)外圍去切換CC通道) 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié),在正向?qū)〞r(shí),背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減小(即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
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