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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
雷達(dá)點云動態(tài)目標(biāo)分割算法研究分析
算法將雷達(dá)點云做為輸入,可以直接判定點是否屬于動態(tài)物體。還能構(gòu)建Volumetric Belief地圖(可以理解為存儲每個點是否動態(tài)的概率),構(gòu)建完地圖...
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器,它利用低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件,以減少整流過程中的能量損耗。盡管同步整...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 936 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動方案開發(fā)
關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計,本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS管的G極和...
兼容IP5303 IP5305 1A同步升壓 移動電源管理方案
TP4333是一款專為移動電源設(shè)計的同步升壓的單芯片解決方案,內(nèi)部集成了線性充電管理模塊、同步放電管理模塊、電量檢測與LED指示模塊、保護(hù)模塊。TP43...
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細(xì)分析起來并不簡單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS 913 0
在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候,在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式,質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。
2023-07-01 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管MOS 845 0
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對標(biāo)CS50363
該電路的核心在于電路中的MOS場效應(yīng)管(2N7002)。他和三極管的功能很相似,可做開關(guān)使用,即可控制電路的通和斷。不過比起三極管,MOS管有挺多優(yōu)勢,...
2023-06-29 標(biāo)簽:mcu場效應(yīng)管MOS 828 0
世微_AP2915寬電壓5-100V遠(yuǎn)近光輸入無MOS管切換方案/雙色燈最具性價比方案
外圍僅需要很少的元器件就可以實現(xiàn)遠(yuǎn)光和近光的功能,不再需要MOS切換。遠(yuǎn)光兩個燈珠亮,近光只亮一個燈珠
2023-01-03 標(biāo)簽:MOS 803 0
不間斷電源(UPS)是一種將蓄電池與主機(jī)相連接,將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備,主要是為了在市電故障時能夠為計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運(yùn)動相互影響,這個影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性,MOS管...
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