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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動器的分步設(shè)計過程
本應(yīng)用筆記是系列筆記中的第一篇,詳細介紹了MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動器的分步設(shè)計過程,以加快原型設(shè)計速度,增加一次通過成功的機會。MAX168...
2023-04-17 標簽:LEDMOSFETLED驅(qū)動器 4.4萬 0
MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFE...
電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
在幾十年的時間里,制造商對基本設(shè)計進行了改進,設(shè)置導通電阻和擊穿電壓的新標準。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
mosfet的三個電極怎么區(qū)分 mos管三個極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)有三個主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個電極的區(qū)分方法如下
介紹三種有線調(diào)光技術(shù):0-10V調(diào)光、切相調(diào)光和DALI調(diào)光
“調(diào)光技術(shù)大類分為有線和無線,無線調(diào)光的優(yōu)點是靈活易于安裝,缺點是容易受到干擾,控制范圍有限。在追求穩(wěn)定可靠性的應(yīng)用的場合,有線調(diào)光更適合。本篇介紹常見...
2023-08-07 標簽:MOSFET開關(guān)器件調(diào)光技術(shù) 3.8萬 0
深度解析MOSFET結(jié)構(gòu)原理和特點以及其驅(qū)動電路
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
分享到 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探...
圖1和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個功率MOSFET(Q1和Q2),其占空比都為0.5;諧振電容Cr...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒有寄生的反向二極管,因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當?shù)目旎謴投O管。
IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
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