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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Cen...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET太陽能系統(tǒng) 148 0
為何國產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結(jié)MOSFET的噩夢
國產(chǎn)650V碳化硅(SiC)MOSFET之所以成為超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET的“噩夢”,主要源于其在性能、成本、應(yīng)用場景及...
老舊MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
AMEYA360:ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET,助力快速充電應(yīng)用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”,其封裝尺寸僅為2.0mm×...
優(yōu)恩半導(dǎo)體推出無觸點具備浪涌保護功能的MOSFET固態(tài)繼電器UNRD0610
MOSFET固態(tài)繼電器 : 最高負(fù)載電壓:60V 最大負(fù)載電流:10A 快速響應(yīng)時間:≤1ms 低驅(qū)動電流:≤10mA 高絕緣性,輸入輸出間隔離電壓:A...
2025-04-18 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器浪涌保護器 117 0
一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路驅(qū)動芯片-SS6952T
電機驅(qū)動芯片 - SS6952T為電機一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機驅(qū)動方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動,可提供較大峰值電流7A,可驅(qū)動一個刷...
2025-05-21 標(biāo)簽:MOSFET電機驅(qū)動芯片 102 0
IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢,在...
近日,2025粵港澳大灣區(qū)車展在深圳國際會展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會上,基本半導(dǎo)體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
2025-06-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET基本半導(dǎo)體 82 0
合科泰為您講解如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進行選型,確認(rèn)最大工作電壓、耐久等級、評估瞬態(tài)電壓風(fēng)險;計算負(fù)載電流、選定額定電流與散熱設(shè)計、關(guān)注...
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