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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項
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國產SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么
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辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數據中心、工業自動化及新能源領域,MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,...
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
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SiC碳化硅MOSFET驅動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
近日,第七屆中國卓越管理公司(BMC)榜單公布,聞泰科技憑借出色表現再次登榜,連續四年斬獲這一企業管理領域權威認證,彰顯其卓越管理水平持續領跑行業。
為何必須通過TDDB(時間相關介質擊穿)方法檢驗國產SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(OBC)、汽車空調、光伏逆變器及逆變焊機等應用中,部分國產碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
SiC碳化硅MOSFET時代的驅動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
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BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態支持 ,成為工商業儲能PCS的理想選擇。其通過優化動態特性與熱管理,顯著提升系...
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場,金剛石MOSFET聚焦極端需求
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