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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規(guī)模約為750億美元。預(yù)計該市場將以6.27%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長,到2032年將達(dá)到約1200...
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅納微半導(dǎo)體 319 0
此前,4月23日至5月2日,華大半導(dǎo)體應(yīng)邀參加第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(以下簡稱“上海車展”),本屆上海車展長達(dá)10天,覆蓋汽車整車、零部件、芯...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車芯片華大半導(dǎo)體 314 0
隨著SiC材料特性的深入發(fā)掘和技術(shù)的不斷成熟,SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、工業(yè)變頻器、軌道交通牽引變流器等工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,不僅大幅提...
碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧可靠性成為電力電子客戶應(yīng)用中的核心關(guān)切點(diǎn)
為什么現(xiàn)在越來越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商聊的第一個話題就是碳化硅MOSFET的柵氧可靠性,碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧...
MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件,尤其在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對于初學(xué)者會遇到不知如何識別G DS極...
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET解決LLC功率調(diào)整時的硬開關(guān)損耗痛點(diǎn)
LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢在于 軟開關(guān)實現(xiàn)的高效率、寬輸入適應(yīng)性及高功率密度 ,其典型應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領(lǐng)域。與SiC M...
2025-03-07 標(biāo)簽:MOSFETLLC諧振轉(zhuǎn)換器 304 0
新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動器評估板——SiC MOSFET半橋電路
新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動器評估板——SiCMOSFET半橋電路該評估板用于評估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵...
120V/4A半橋MOSFET高頻高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動器為工業(yè)及汽車應(yīng)用方案新選擇
概述:(兼用UCC27301A-Q1? NGD4300) PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關(guān)...
小米30W立式雙線圈無線充拆解:捷捷微電MOSFET驅(qū)動極速高效充電
捷捷微電核心技術(shù)再獲行業(yè)認(rèn)可!近日,小米30W立式無線充電器(型號MDY-17-EM)正式搭載捷捷微電JMSL1040AGD雙NMOS功率器件,以卓越性...
為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計元素...
2025-06-09 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器意法半導(dǎo)體 297 0
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
龍騰半導(dǎo)體車規(guī)級超結(jié)MOSFET LSB60R041GFA概述
本款產(chǎn)品采用新一代超結(jié)技術(shù),專為汽車電子和高功率場景打造。在質(zhì)量與可靠性方面,產(chǎn)品嚴(yán)格遵循 AEC - Q101 車規(guī)級可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)以及 IATF 1...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項
在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
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