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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC外延設備的復雜性主要體現在反應室設計、加熱系統和旋轉系統等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中,晶型夾雜和缺陷問題頻發,嚴重影響外延膜的質...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優良特性,在新能源、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。...
碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發揮SiC器件的性能,封裝技術至...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是...
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下,節能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策,推動能源結構轉型和低碳經濟發展,旨在實現《巴黎協定》設定...
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰?5步法應對碳化硅特定挑戰,mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造...
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