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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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7.3.1大注入與雙極擴散方程7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3...
2022-02-11 標簽:SiC 869 0
6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-01-25 標簽:SiC 1157 0
6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.8其他方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應...
2022-01-11 標簽:SiC 783 0
9.1.3 端電流∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.1.3端電流9.1雙極結型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD...
2022-03-14 標簽:SiC 302 0
7.3 pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《...
2022-02-10 標簽:SiC 949 0
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6....
2022-01-24 標簽:SiC 1759 0
6.3.4.1 SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表...
2022-01-05 標簽:SiC 789 0
8.2.3 MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.3MOSFET電流-電壓關系8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器...
9.3 晶閘管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選...
2022-03-25 標簽:SiC 386 0
6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》...
2022-01-24 標簽:SiC 790 0
7.1.2 單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7....
2022-02-07 標簽:SiC 614 0
6.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用...
2022-01-12 標簽:SiC 679 0
6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件...
2022-01-10 標簽:SiC 915 0
6.3.5.5 界面的不穩定性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.5界面的不穩定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生...
2022-01-19 標簽:SiC 723 0
7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.5總結∈《碳化...
2022-02-07 標簽:SiC 887 0
7.1.3 雙極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.3雙極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7....
2022-02-09 標簽:SiC 679 0
6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1059 0
6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅...
2022-01-06 標簽:SiC 1097 0
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