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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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系統(tǒng)制造商對(duì)提高其設(shè)計(jì)的電源效率越來(lái)越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合對(duì)于市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位變得至關(guān)重要。從半導(dǎo)體材料的角度來(lái)看,這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)...
2022-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1110 0
碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化...
不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...
我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點(diǎn),以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來(lái)芯片...
每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言,21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過(guò)去的二十年里,研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...
甚至懷疑它的人也改變了主意,因?yàn)樗麄凅@嘆于它的能力、性能和強(qiáng)度。碳化硅 (SiC),這種化合物一直令半導(dǎo)體設(shè)計(jì)師著迷。隨著對(duì)其技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng),該技術(shù)...
將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢(shì)
與傳統(tǒng)技術(shù)相比,氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過(guò)程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...
此外,SiC 具有優(yōu)異的材料特性,例如正向電阻的最小增加。與硅元件相比,這可以實(shí)現(xiàn)更大的封裝小型化和節(jié)能?;?SiC 的組件可以在更高的環(huán)境溫度下運(yùn)行...
2022-07-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器SiC 568 0
羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產(chǎn)量
羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù),從生...
安森美半導(dǎo)體在電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽中與梅賽德斯-EQ 方程式 E 合作開(kāi)發(fā)下一代電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)。安森美半導(dǎo)體與梅賽德斯 AMG 的高功率性能 (HPP) ...
SiC MOSFET在開(kāi)/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當(dāng)驅(qū)動(dòng)程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對(duì)其進(jìn)行編程時(shí),可能會(huì)發(fā)生這種情況。
在五電平單相轉(zhuǎn)換器中使用SiC降低開(kāi)關(guān)電壓應(yīng)力
仿真結(jié)果表明這種 T 型拓?fù)湓谒璧脑试S范圍內(nèi)的適用性。它提供了諸如鉗位開(kāi)關(guān)數(shù)量減少和雙向開(kāi)關(guān)減少等優(yōu)點(diǎn)。這些新穎的 T 型腿拓?fù)滹@示的開(kāi)關(guān)電壓應(yīng)力小于...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電平轉(zhuǎn)換器SiC 1050 0
第三代半導(dǎo)體或?qū)⒂瓉?lái)發(fā)展浪潮
據(jù)統(tǒng)計(jì),目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
中國(guó)大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)前50名
? ? 近年來(lái),國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內(nèi)普遍看好功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景呢? 這要從功率半導(dǎo)體的特性說(shuō)起。 客觀而言,功率半導(dǎo)體屬于特色工藝產(chǎn)品...
SiC供不應(yīng)求 國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展將進(jìn)入到一個(gè)新階段
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC供不應(yīng)求,已經(jīng)是行業(yè)共識(shí)。自從電動(dòng)汽車興起,特斯拉率先在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件,需求開(kāi)始爆發(fā)后,產(chǎn)能不足...
全球SiC產(chǎn)能“戰(zhàn)備競(jìng)賽”打響,國(guó)內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度如何?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC供不應(yīng)求,已經(jīng)是行業(yè)共識(shí)。自從電動(dòng)汽車興起,特斯拉率先在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件,需求開(kāi)始爆發(fā)后,產(chǎn)能不足...
SmartSiC的制作步驟及技術(shù)細(xì)節(jié)
前段時(shí)間,Soitec宣布8英寸SiC量產(chǎn),而且還投資23億建線(。點(diǎn)這里。),更為關(guān)鍵的是他們號(hào)稱能讓單塊SiC晶錠產(chǎn)量增加10倍,使SiC MOSF...
高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法
碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學(xué)質(zhì)量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、集成電路等領(lǐng)域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...
重點(diǎn)分析和綜述碳化硅功率模塊封裝中的4個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題
SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅(Si)、鍺(Ge)和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比,其禁帶...
碳化硅模塊引發(fā)大眾博弈 巨頭各自建立準(zhǔn)入門檻
以SiC市場(chǎng)為例,美國(guó)在SiC 領(lǐng)域全球獨(dú)大,美國(guó)Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Transphorm、道康寧等行業(yè)巨頭占據(jù)了全球70%以上的市場(chǎng)份額。
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