完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
今天與大家分享一下運放系列第一個問題：輸入偏置電流(Ibias)和失調電流(Ios)。...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成，是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件，是實現電能轉換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發展方向之一。...
運放的壓擺率（SR）是與運放的增益帶寬積（GBW）同等重要的一個參數。但它卻常常被人們所忽略。說它重要的原因是運入的增益帶寬積GBW是在小信號條件下測試的。而運放處理的信號往往是幅值非常大的信號，這更需要關注運放的壓擺率。 壓擺率可以理解為，當輸入運放一個階躍信號時，運放輸出信號的最大變化速度 ，如...
昨天與各位同好一起學習了疊加定理在運算放大器直流分析中的應用，那么今天再次與各位同好重溫疊加定理，今天交流直流一起分析。...
以我們平時最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規情況下，二極管它是串聯在電路當中，用來保護后級電路免受電源反接損壞。...
將模擬信號轉換成數字信號時，必須在一系列選定的時間點對輸入的模擬信號進行采樣然后再將這些采樣值轉換為數字量輸出。整個A/D 轉換過程通常包括采樣、保持、量化和編碼3個步驟。...
限流功能電路的實現可以采取多種方案。其中采用過流保護芯片是一種很常見且非常有效的方法，它是能夠在電流超過一定值時便會自動切斷電源，來防止大的電流對后級電路造成損害。...
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化...
隨著智能手機和可穿戴裝置多功能化，電子產品搭載的MLCC的容值日益提高，搭載的元件數量也在逐年增加。同時，各種電子設備也日趨小型化。...
IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。...
N溝道增強型MOS管的結構如圖1所示，P型襯底上制作兩個高摻雜的N區，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構成了常見的N溝道增強型MOS管。一般而言，襯底B和S極會連在一起，當在柵極處加正電壓時，靠近襯底的絕緣層會產生感應電荷，當感應電荷...
本視頻介紹一款參考設計，其將 9GHz 直接轉換 I/Q 解調器 LTC5594 DC 耦合至 3Gsps 14 位雙通道 ADC AD9208，可提供 1.2GHz 帶寬。了解怎樣優化鏡頻抑制、IM2/IM3 和 HD2/HD3 指標以實現極佳的動態范圍。...
微弱信號放大將1uA的電流放大到1mV，帶寬100MHz。輸入方波，在放大500倍時波形還好，但1000倍時，波形明顯成為正弦波，想知道哪里的問題？...
浪涌電流電壓的持續時間比較長（可能達數mS），產生的能量比較大。用以浪涌防護的壓敏電阻必須能夠吸收較大的脈沖能量，為了實現這個性能，一般防浪涌用的壓敏電阻尺寸較大（3225～5650）。...
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術語，通常用來描述一個系統或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩定性或可靠性。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
