完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章,最實用的電子技術文章,是您了解電子技術動態的最佳平臺。
在之前的文章中,我們了解了同步解調技術的基礎知識。該技術有助于測量隱藏在閃爍噪聲中的低頻信號。它試圖以比電路的 1/f 拐角頻率高得多的頻率運行電路,以便閃爍噪聲不再是限制因素。...
當節點A上的電壓為邏輯1時,互補邏輯0施加于節點/A,允許兩個晶體管在IN到OUT處傳導和傳遞信號。當節點/A上的電壓為邏輯0時,互補邏輯1施加到節點A,關閉兩個晶體管,并在IN和OUT節點上強制高阻抗條件。...
龍騰半導體建有功率器件可靠性與應用實驗中心,專注于產品設計驗證、參數檢測、可靠性驗證、失效分析及應用評估,公司參考半導體行業可靠性試驗條件和抽樣原則,制定產品可靠性規范并依此對產品進行完整可靠性驗證。...
可以看到,ADC/DAC 芯片是模擬域和數字域的邊界。一旦信號轉換到數字域,所有的信號都可以通過軟件算法進行處理和補償,而且這個處理過程通常不會引起額外的噪聲和信號失真,因此把 ADC/DAC 芯片前移、實現全數字化處理是現代通信、雷達技術的發展趨勢。...
用于從正電源生成負直流電壓的傳統 dc/dc 轉換器模塊的低成本替代方案使用低成本四半導體模擬開關和板載系統時鐘(圖1a)。 這種類型的電壓轉換器從 5V 輸入生成低功耗負偏置電壓。...
近推出了新的A/D和D/A轉換器,可以直接對1至4 GHz的IF進行采樣;在第二、第三和第四奈奎斯特區域采樣([4] 至 [7])。這些與更高速的數字邏輯相結合,允許以數字方式完成組合(對于 A/D)和分離(對于 D/A)([8] 至 [21])。...
我們在之前的仿真中使用的 LT1001A 不屬于溫度依賴性類別。在測試了其他一些不符合要求的運算放大器后,我發現 AD8606(一款適用于低壓應用的精密運算放大器)在其宏模型中的某個位置具有溫度依賴性。...
一些 SAM D Microchip 微控制器的硬件中內置了更有效的緩解措施 [2]。這些 PWM 修改8 位經典 PWM 序列的2 X 個連續周期,以產生長度為 2 X+8的更長重復序列。...
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同,本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構...
太陽能光伏系統:為了提高轉換效率和降低系統成本,太陽能光伏系統的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。...
MOS場效應晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導體器件,圖1是N溝導MOS管芯結構原理圖,即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區,其中一個稱源,用S表示,另一個稱漏,用D表示,在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層,并引出一電極,稱柵,用G表示。應用中 D接正,8接地,G用正電源控制。...
IGBT 有三個端子(集電極、發射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。...
大電流的快速切換會導致電源軌上的電壓驟降和瞬態尖峰。如果電源和控制電子設備共用一個或多個電源軌,則可能會對控制電路產生干擾。...
在另一個應用中,規范列出了僅根據其在類似應用中的使用而制定的采樣率。將此值包含在規范中,給系統設計者帶來了任何靈活性。如果該速率實際上不是該應用程序的采樣率怎么辦?如果新軟件似乎可以在指定的采樣率下工作,那么該采樣率將在應用程序的生命周期內保持固定,并且該值永遠不會受到質疑...
了解您所面臨的設計權衡非常重要。為了幫助你,在降壓設計中開發了一個“影響什么”的矩陣...
National Semiconductor的 LM3485 IC包含具有電流限制功能的高側柵極驅動器(參考文獻 1)。然而,由于可變開關頻率和過沖,以及無法將反饋調節到低于 1.24V 參考電壓,該模擬 IC 的遲滯控制方案可能會在某些應用中產生令人懷疑的性能。...
對于誤碼率 (BER) 模擬,將發現的誤碼數除以總位數來計算 BER。對于統計上顯著的結果,應該計算數百到一千個錯誤。即使 BER 相當高(10-4);計算 500 個錯誤需要 500 萬位。為了使仿真在合理的短時間內運行,必須找到一個相當簡單的模型...
較小的微控制器可能缺乏較大處理器所擁有的一些強大的調試工具,例如 BDM、J-Tag 和 SWD。較小的 MCU 也可以作為基礎金屬運行,而不使用操作系統,這意味著操作系統中可用的任何調試工具都會丟失。...
噪聲是混合信號 ASIC 中的一個常見問題,會降低性能并危及產品的完成度。本應用筆記提供了添加外部電路的提示和技巧,使許多 ASIC 可用于原型設計或作為終產品進行交付。討論了通過校正模擬電路中的噪聲、進行調整、校準增益和偏移以及清潔電源來優化 ASIC 的方法。...