完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
負載阻抗等于信源內阻抗的共軛值，即它們的模相等而輻角之和為零。這時在負載阻抗上可以得到最大功率。這種匹配條件稱為共軛匹配。如果信源內阻抗和負載阻抗均為純阻性，則兩種匹配條件是等同的。...
os是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻<Rds(on)>。...
減小了電場集中效應，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關，同時和耐壓環也有很大的關系。...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關斷狀態。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態。...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。...
閂鎖(Lanch-up)效應，一般我們也可以稱之為擎住效應，是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象，當然，閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。...
IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。...
根據磁場刺激所需要的磁場強度和均勻磁場區域大小等要求，設計并自制了螺線管線圈。使用有機玻璃制作線圈骨架，選用0.67mm直徑的漆包線繞制緊密線圈，繞制146匝，線圈直徑和長度均為110 mm。...
對于每一位，SAR 邏輯向 DAC 輸出一個二進制代碼，該代碼取決于正在審查的當前位和已經近似的先前位。比較器用于確定當前位的狀態。...
IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。...
0歐姆電阻，并不是絕對的0歐姆，0這個數沒辦法計算的，所以誤差和功率，都和普通電阻不一樣。 誤差是<0.05Ω，功率不計算，只計算通過的電流。0402的0歐姆電阻額定電流是1A。 硬件設計的時候，如果在電源線上串聯0歐姆電阻，一定要算清楚電流。...
可以看懂，輸入1.5V的時候，輸出嚴重失真，不僅幅度達不到1.5V，波形也酷似三角波。這是為啥嗯？1V輸入的時候沒問題，1.5V的時候輸入有問題，難道是運放仿真模型不對，為非軌至軌？...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
