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智能家居的功率器件、電容、可控硅以及繼電器等器件更多是根據(jù)控制器的方案而定，但質(zhì)量可靠、安全穩(wěn)定等性能必不可少。對(duì)于適配器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)電源芯片的功能升級(jí)和性能優(yōu)化一定要抓住消費(fèi)者的需求痛點(diǎn)，就像深圳銀聯(lián)寶科技的開(kāi)關(guān)電源芯片U25136，設(shè)計(jì)合理，簡(jiǎn)單有效！...
鈣鈦礦電池命名取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski的名字,結(jié)構(gòu)為ABX3以及與之類(lèi)似的晶體統(tǒng)稱(chēng)為鈣鈦礦物質(zhì)。...
電線負(fù)荷是大家在選購(gòu)電線前都比較關(guān)注的，目前生活中比較常用的電線規(guī)格有1平方電線、1.5平方電線、2.5平方電線、4平方電線、6平方電線等那么這些電線可以負(fù)荷多少瓦呢，這也是大家比較關(guān)心的。...
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量單位一般用小寫(xiě)。僅在涉及以名字命名的單位，比如伏特V、安培A、開(kāi)爾文K、瓦特W等，為了表示對(duì)科學(xué)家前輩的尊重，就用大寫(xiě)，其余的非以人名命名的單位一般用小寫(xiě)。這里解釋了為何V是大寫(xiě)。...
配電箱的一級(jí)、二、三級(jí)箱是啥意思？這是相對(duì)而言的問(wèn)題。我們做個(gè)假設(shè)：有一個(gè)新建的小區(qū)引進(jìn)一條10kV進(jìn)線，建了一個(gè)配電室，從變壓器低壓端出線0.4kV到配電柜（一級(jí)配電柜），再引出線到每棟樓的配電箱（二級(jí)配電箱），再出線到每個(gè)單元樓的配電柜（三級(jí)配電），最終入戶(hù)。...
升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率電子領(lǐng)域非常重要，但是電感值的選擇并不總是像通常假設(shè)的那樣簡(jiǎn)單。在 dc - dc 升壓轉(zhuǎn)換器中，所選電感值會(huì)影響輸入電流紋波、輸出電容大小和瞬態(tài)響應(yīng)。選擇正確的電感值有助于優(yōu)化轉(zhuǎn)換器尺寸與成本，并確保在所需的導(dǎo)通模式下工作。本文講述的是在一定范圍的輸入電壓下，計(jì)算電感值以維持所需...
基本拓?fù)潆娐飞弦话銢](méi)有吸收緩沖電路，實(shí)際電路上一般有吸收緩沖電路，吸收與緩沖是工程需要，不是拓?fù)湫枰?..
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的無(wú)人機(jī)系統(tǒng)雷達(dá)等在內(nèi)的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應(yīng)用。...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場(chǎng)作用下，高效地傳導(dǎo)電子。2DEG具有高導(dǎo)電性，部分原因是由于電子被困在界面處的非常細(xì)小的區(qū)域，從而將電子的遷移率從未施...
具體而言，SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說(shuō)，可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用，例如 IGBT 這些產(chǎn)品都有著很好的使用，應(yīng)用領(lǐng)域在不斷增長(zhǎng)中，其主要?jiǎng)恿?lái)自汽車(chē)行業(yè)...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生長(zhǎng)在昂貴的III/V族SiC晶圓上，采用昂貴的光刻技術(shù)，生產(chǎn)成本特別高。最初嘗試在硅晶圓上生長(zhǎng)氮化鎵，但由于性能不佳和不具有成本優(yōu)勢(shì)，沒(méi)有被市場(chǎng)采納...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。...
DC-DC指直流轉(zhuǎn)直流電源（Direct Current）。 是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能變?yōu)榱硪粋€(gè)電壓值得電能的裝置。 如，通過(guò)一個(gè)轉(zhuǎn)換器能將一個(gè)直流電壓（5.0V）轉(zhuǎn)換成其他的直流電壓（1.5V或12.0V），我們稱(chēng)這個(gè)轉(zhuǎn)換器為DC-DC轉(zhuǎn)換器，或稱(chēng)之為開(kāi)關(guān)電源或開(kāi)關(guān)調(diào)整器。...
逆變器，別稱(chēng)為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負(fù)載等部分，可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電腦、電視、...
Buck converter 的輸入電流一定小于輸出電流，因?yàn)樵谀芰渴睾愕那疤嵯拢妷航档停娏骶蜁?huì)變大，而由于交換式電源的轉(zhuǎn)換效率不可能達(dá)到 100%，所以實(shí)際上的輸入電流會(huì)比 208.3 mA 還要大。...
UPS不間斷電源的使用越來(lái)越廣泛，當(dāng)市電輸入正常時(shí)，UPS 將市電穩(wěn)壓后供應(yīng)給負(fù)載使用，此時(shí)的UPS就是一臺(tái)交流市電穩(wěn)壓器，同時(shí)它還向機(jī)內(nèi)電池充電。...
開(kāi)關(guān)電源（包括AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、AC/DC模塊和DC/DC模塊）與線性電源相比較，最突出的優(yōu)點(diǎn)是轉(zhuǎn)換效率高，一般可達(dá)80%～85%，高的可達(dá)90%～97%；其次，開(kāi)關(guān)電源采用高頻變壓器替代了笨重的工頻變壓器，不僅重量減輕，體積也減小了，因此應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。但開(kāi)關(guān)電源的缺點(diǎn)是由于其...
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作，具有極低的開(kāi)關(guān)損耗和高頻工作能力，減小模塊的體積和重量，顯著提高系統(tǒng)的效率，有利于節(jié)能降耗，廣泛應(yīng)用于風(fēng)光發(fā)電、光伏逆變、UPS儲(chǔ)能、新能源...
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開(kāi)關(guān)速率且無(wú)反向恢復(fù)電流量，與硅元器件對(duì)比，它可以大幅度降低開(kāi)關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。...
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