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碳化硅材料以其優異的性能被行業列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環境下工作，具有極低的開關損耗和高頻工作能力，減小模塊的體積和重量，顯著提高系統的效率，有利于節能降耗，廣泛應用于風光發電、光伏逆變、UPS儲能、新能源...
碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關個人行為的危害較小、規范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關鍵優點取決于它具有極快的電源開關速率且無反向恢復電流量，與硅元器件對比，它可以大幅度降低開關損耗并完成非凡的能耗等級。...
溫度補償功能就是要將溫度對蓄電池的影響減至最小，但絕不是說有了充電電壓的調節系數，蓄電池就可以在任意環境溫度下使用。因為，溫度補償功能只是補償蓄電池在不同溫度情況下的化學反應活性。...
由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因為本征載流子激發導致器件性能失效。碳化硅材料在發生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。...
從以往2170電池的脈沖激光器點焊，到目前4680電池線或激光點陣，激光焊接工藝提升，可能會從原來的脈沖激光器變為連續激光器，整體造價增加...
由于鋰離子電池的內部結構原因，放電時鋰離子不能全部移向正極，必須保留一部分鋰離子在負極，以保證在下次充電時鋰離子能夠暢通地嵌入通道。...
通過使用開關穩壓器，可以有效減少電路發熱以節約能耗。此外，開關穩壓器有助于減小散熱器尺寸，從而可以制作出更緊湊的電路以及發熱量更少的電源電路。...
首先從效率上說，DC/DC的效率普遍要遠高于LDO，這是其工作原理決定的。其次，DC/DC有Boost，Buck，Boost/Buck，(有人把ChargePump也歸為此類)；而LDO只有降壓型。...
采用高性能的雙核嵌入式CPU模塊，內存容量不低于2GByte，強大的運算能力和大容量存儲能力為高采樣率和超長傅里葉時間窗提供強有力保障。...
碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發現了...
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標識追蹤能力 控制擴展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制...
功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領域。 MOSFET高頻、功率低，主要用于開關電源、通信電源、影視音箱電源等中低壓高頻領域。 其中IGBT頻率廣、功率廣，目前主要用于新能...
隨著小信號器件概念的出現，半導體分立器件按照功率、電流指標又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類：世界半導體貿易統計協會（WSTS）也將小信號器件定義為耗散功率小于1W（或者額定電流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者額定電流不小于1A）的分立器件則歸類為功率器件；...
超大規模計算通常依賴于具有超高可擴展性的服務器架構和虛擬網絡。要確保設備全天24小時保持連接，熱插拔功能仍然是一種關鍵功能。但是，要在開關效率和強大安全工作區(SOA)方面達到要求的性能水平，以前只能通過D2PAK封裝(160 mm2)來實現。借助Nexperia的新型ASFET，設計人員可在30 ...
新的Recom RACM1200-V電源必須滿足IEC60601-1的嚴格要求，IEC<>-<>是醫療電氣設備安全和性能的一系列技術標準。這些要求包括在PCB上保持適當的爬電距離和間隙距離的安全性，同時將功耗保持在最低水平。...
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