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【導讀】S7-200 SMART CPU 支持商用MicroSD卡(支持容量為4G、8G、16G)，可用于程序傳輸、CPU固件更新、恢復 CPU 出廠設置。...
存儲協(xié)議棧負責ECU中非易失性數(shù)據(jù)的存儲管理。存儲協(xié)議棧的分享包括NVM、MemI、Ea、Fea、Eep、Fls模塊的詳細介紹及代碼分析，具體的項目實戰(zhàn)請關注本號的后續(xù)文章，本篇為NVRAM Manager(NVM)模塊詳細介紹篇。...
磁記錄是利用磁的性質(zhì)進行信息的記錄的方式。在存儲和使用的時候通過特殊的方法進行信息的輸入和讀出，從而達到存儲信息和讀出信息的目的。 ? 當今世界正處于數(shù)據(jù)大爆炸的時期。據(jù)IDC預測，截至2025年，全球數(shù)據(jù)增量將從2020年的64ZB增加到近180ZB（1ZB等于1萬億GB）。越來越多的大公司正在將...
1968 - Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic內(nèi)存開關，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint內(nèi)存的基礎，后來英特爾將其產(chǎn)品化為Optane。...
CXL 3.0 中最重要的變化是內(nèi)存共享和設備到設備的通信。主機 CPU 和設備現(xiàn)在可以在相同的數(shù)據(jù)集上協(xié)同工作，而無需不必要地打亂和復制數(shù)據(jù)。...
數(shù)據(jù)安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護，包括數(shù)據(jù)加密（TCG-OPAL、FIPS）、數(shù)據(jù)安全擦除和異常斷電保護。...
存算一體化是指將傳統(tǒng)以計算為中心的架構轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構，它可以突破馮·諾伊曼架構下存算分離的瓶頸，直接利用存儲器進行數(shù)據(jù)處理，從而把數(shù)據(jù)存儲與計算融合在同一芯片中，極大提高計算并行度與能效比，特別適用于深度學習神經(jīng)網(wǎng)絡領域，如可穿戴設備、移動設備、智能家居等場景。...
外部存儲器中的加密代碼塊不會讓雜散的眼睛以任何可用的形式將其分解。MCU 包含一個解密算法，其中包含為偽隨機函數(shù)生成器提供種子的定制參數(shù)。...
信息資料迅速增長是當今社會的一大特點。有人統(tǒng)計，科技文獻數(shù)量大約每7年增加1倍，而一般的情報資料則以每2年~3年翻一番的速度增加。大量資料的存儲、分析、檢索和傳播，迫切需要高密度、大容量的存儲介質(zhì)和管理系統(tǒng)。...
美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學習為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。...
MinIO 是在 GNU Affero 通用公共許可證 v3.0 下發(fā)布的高性能對象存儲。它與 Amazon S3 云存儲服務 API 兼容。使用 MinIO 為機器學習、分析和應用程序數(shù)據(jù)工作負載構建高性能基礎架構。...
但是存儲在設備上的數(shù)據(jù)很可能最終會在企業(yè)的其他地方——私人的或公共的。趨勢是在嵌入式設備上本地執(zhí)行和保存更多的數(shù)據(jù)收集、處理和分析。平臺正在不斷發(fā)展，以滿足為這些連接設備提供安全、設備管理、數(shù)據(jù)分析、軟件更新和連接服務的需求。...
IMX6Q中MMDC-DDR控制器的地址空間為：0x1000_0000~0xFFFF_FFFF共3840MB，即MMDC-DDR控制器允許配置的最大片外內(nèi)存為3.75GB。...
德州儀器 MCU 以適中的 80 MHz 速度運行，具有高達 512 KB 的錯誤檢查閃存、高達 96 KB 的數(shù)據(jù) RAM，有些還擁有自己的 2 KB 片上傳統(tǒng) E2PROM。...
MSP- FET430U40A工具套件包包括一個閃存仿真器和編程器，具有諷刺意味的是，它不需要與雙板載 MSP430FR5739 MCU 一起使用。...
重要的是要注意，即使對于模型良好的應用程序，計算也最多只是理論上的。產(chǎn)生真實結果的更準確的方法包括使用應用程序本身中的工具來監(jiān)控 NAND 閃存的確切磨損并將該數(shù)據(jù)報告回主機系統(tǒng)。...
Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設計低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。...
請注意 USB OTG、以太網(wǎng)和 TFT 顯示接口等高端外圍設備。這些可能是代碼和數(shù)據(jù)密集型的。更高密度的 NAND 閃存的一個完美應用是保存圖形頁面模板并使用片上 DMA 控制器將它們快速發(fā)送到顯示器。...
閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術。...
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