超薄片式厚膜電阻器具有許多碳電阻器特性;它們可以做得很小，而且大批量的成本非常低。同時(shí)厚膜電阻器具有高達(dá)10TW（太歐姆）的高電阻值、非常高的溫度性能和高電壓能力，并且本質(zhì)上是無(wú)感的。它們適用于醫(yī)療
2024-03-15 07:17:56
在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來(lái)了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11
105 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專(zhuān)為浪涌限流設(shè)計(jì)。這一系列熱敏電阻在25°C時(shí)阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
要區(qū)分電阻是薄膜還是厚膜，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行判斷：
外觀：觀察電阻的外觀，如果看到電阻表面有一層薄膜涂層，則可能為薄膜電阻；如果電阻表面較為粗糙，沒(méi)有明顯的涂層，則可能為厚膜電阻。
尺寸：薄膜
2024-03-07 07:49:07
的質(zhì)量來(lái)吸收能量脈沖。然而，許多新興市場(chǎng)，如LED照明、燃料電池和替代能源控制以及電動(dòng)機(jī)控制，已經(jīng)使耐脈沖薄膜片式電阻器成為當(dāng)今增長(zhǎng)最快的電阻產(chǎn)品之一。 設(shè)計(jì)工程師經(jīng)常提出的一個(gè)問(wèn)題是，何時(shí)指定能夠承受
2024-03-06 10:25:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《鉛框架 - QPL Ag Plate RoHS/鹵化物測(cè)試報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-23 09:54:48
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《鉛框架 - QPL Ag Plate RoHS/鹵化物測(cè)試報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-23 09:53:530 電阻應(yīng)變片的類(lèi)型有什么？電阻應(yīng)變片的使用有什么需要注意的嗎？ 電阻應(yīng)變片是一種常用的測(cè)量應(yīng)變的傳感器元件，廣泛應(yīng)用于機(jī)械、工程、航空航天等領(lǐng)域。根據(jù)材料和結(jié)構(gòu)的不同，電阻應(yīng)變片可以分為硅應(yīng)變片、金屬
2024-02-04 15:18:18448 器的基本概念和用途 電阻器是一種用于調(diào)節(jié)電路中電流的元件。它能夠控制電路中的電阻值，使電流按照設(shè)計(jì)要求進(jìn)行傳輸。電阻器在電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用于精密電路的調(diào)節(jié)、限流等方面。薄膜電阻器和厚膜電阻器是兩種常見(jiàn)的電阻器類(lèi)型，在制
2024-01-30 17:26:50264 薄膜電阻與 厚膜電阻的共同特征在于，通過(guò)在耐熱基板的表面，涂覆一層薄膜狀的電阻材料而形成的電阻元件。薄膜與厚膜最直觀的差異就是這層“膜”（導(dǎo)電層）的厚度。厚膜電阻膜的厚度可以是薄膜電阻的上千倍。
2024-01-18 09:55:43542 
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠(chǎng)測(cè)試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41496 應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見(jiàn)的氮化鎵MOS管型號(hào)： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無(wú)線(xiàn)充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫工作能力等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于
2024-01-10 09:30:59366 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)
2024-01-09 18:06:36293 貼片式壓敏電阻特性參數(shù)及優(yōu)點(diǎn)分析 貼片式壓敏電阻是一種非線(xiàn)性電阻器件，其電阻值隨著受到的壓力變化而變化。它通常由一個(gè)壓敏陶瓷片和兩個(gè)電極組成，具有一定的特性參數(shù)和優(yōu)點(diǎn)。 一、特性參數(shù)： 1. 靜態(tài)
2024-01-03 11:20:50843 標(biāo)準(zhǔn)膜片 薄膜氣體透過(guò)率測(cè)試儀產(chǎn)品介紹GTR-V3氣體透過(guò)率測(cè)試儀適用于塑料薄膜、復(fù)合膜、高阻隔材料、片材、金屬箔片、橡膠等材料的 O2、CO2、N2 及空氣 等多種氣體透過(guò)率的檢測(cè)
2023-12-29 15:15:07
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線(xiàn)的發(fā)光二極管，1990年起開(kāi)始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領(lǐng)域
2023-12-26 14:38:54270 
電感的相關(guān)信息。 首先，我們來(lái)看一下片式磁珠。片式磁珠是一種電子元器件，用于電路中的電磁干擾(EMI)濾波和阻抗匹配。它由一種磁性材料制成，具有環(huán)形或多孔的結(jié)構(gòu)。片式磁珠通過(guò)對(duì)電流的高頻成分起到抑制的作用，可以有效
2023-12-21 16:34:21154 Qorvo QPL7425單端射頻放大器ICQorvo QPL7425單端射頻放大器IC采用外部電阻器，偏置可調(diào)，符合RoHS指令。這些IC設(shè)計(jì)用于5MHz至684MHz上游應(yīng)用和47MHz至
2023-12-20 10:17:46
檢測(cè)儀器來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。因此「美能光伏」生產(chǎn)了美能Poly在線(xiàn)膜厚測(cè)試儀，該設(shè)備采用光伏行業(yè)領(lǐng)先的微納米薄膜光學(xué)測(cè)量創(chuàng)新技術(shù)，且適用于大規(guī)模產(chǎn)線(xiàn)自動(dòng)化檢測(cè)工序，可幫助
2023-12-16 08:33:09300 
薄膜電容是一種重要的電子元件，是一種用薄膜材料作為電介質(zhì)制成的電子元件，具有體積小、容量大、高頻特性好、絕緣電阻高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。
2023-12-11 17:28:58204 薄膜電容是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的電子元件，以塑料薄膜作為介質(zhì)，和作為電極的金屬箔一起，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造的電容器。
2023-12-04 17:34:05659 片式磁珠和片式電感的應(yīng)用場(chǎng)合? 片式磁珠和片式電感是現(xiàn)代微電子器件中常見(jiàn)的元器件，它們具有體積小、重量輕、功效高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品、通信設(shè)備、醫(yī)療器械等領(lǐng)域。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹片式
2023-11-30 15:07:52199 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程
2023-11-24 11:15:20718 雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車(chē)應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車(chē)工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應(yīng)用，它能應(yīng)用于各種汽車(chē)系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預(yù)計(jì)，它會(huì)對(duì)汽車(chē)工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《薄膜電阻和厚膜電阻有什么區(qū)別.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-21 09:24:310 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來(lái)越廣闊，例如在新能源
2023-11-10 14:35:09364 全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商-國(guó)巨集團(tuán)，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定表現(xiàn)的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37370 鎵技術(shù)在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下具有優(yōu)異的表現(xiàn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-11-07 15:48:01196 航天紅外遙感已廣泛地應(yīng)用于軍事國(guó)防、大氣探測(cè)、水體探測(cè)、資源探測(cè)和空間天文觀測(cè)等領(lǐng)域，航天遙感紅外探測(cè)器是遙感載荷的核心器件。
2023-10-27 10:03:53577 
遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)計(jì)、優(yōu)化的腔室?guī)缀涡螤詈?b class="flag-6" style="color: red">用于離子能量控制的晶圓臺(tái)偏置。這些特性結(jié)合在一起，為量子應(yīng)用提供了三倍快的ALD速率、低電阻率和高Tc超導(dǎo)氮化物薄膜，這是此次發(fā)布的最初應(yīng)用重點(diǎn)。
2023-10-23 16:20:07487 
如何選擇合適的片式電阻？薄膜電阻與厚膜電阻有什么不同之處？ 首先，將電路中使用的電阻器的類(lèi)型和值與電路設(shè)計(jì)要求進(jìn)行匹配，這是選擇合適的電阻器的首要考慮因素。電阻器的類(lèi)型主要分為片式電阻器和孔式電阻
2023-10-23 09:52:30593 電阻器是電子電路中常見(jiàn)的被動(dòng)元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見(jiàn)的類(lèi)型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類(lèi)型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
想入手一款示波器使用頻率很少 ，一個(gè)月可嫩只用一兩次。
但是還是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器覺(jué)得可以用。
但是看了一些新款的感覺(jué)功能更多 有必要選擇新款的嗎 ？
沒(méi)用過(guò)所有需要請(qǐng)教一下
看了ds5000系列現(xiàn)在用過(guò)時(shí)嗎
組要用于看看一些簡(jiǎn)單的模擬電路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
。 ? 而各種電阻實(shí)現(xiàn)著不同的功能，有些利用電阻熱效應(yīng)，有些利用電阻限流特性，有些利用電阻阻抗匹配等等，所以電阻的分類(lèi)也是五花八門(mén)，可以細(xì)分出很多類(lèi)別。 ? 薄膜厚膜電阻有什么不同之處 ? 按照材料的不同、結(jié)構(gòu)的不同、用途的不
2023-10-09 00:13:001015 PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491770 以薄膜鉑電阻傳感器為例，它廣泛應(yīng)用于汽車(chē)工業(yè)、生物醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域。金新航解釋?zhuān)M管這款傳感器售價(jià)在10元以?xún)?nèi)，但是，它在誕生之初，30余年的時(shí)間都是被國(guó)外壟斷的。
2023-09-22 10:37:49296 
應(yīng)用于BLDC的笙泉電機(jī)MCU
2023-09-18 10:56:44448 
特點(diǎn)：
1.符合AEC-Q200汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)條款，適用于汽車(chē)電子應(yīng)用。
2.提供電溫度系數(shù)（±25ppm/C或±50ppm/C）和高精度（0.1%±1.0%）選項(xiàng)。
3.適用于再流焊和波峰焊工藝。
2023-09-16 10:41:24878 
薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別1.結(jié)構(gòu):-薄膜電阻:薄膜電阻是通過(guò)在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度，形成電阻元件的形狀和尺寸是通過(guò)光刻
2023-09-15 11:07:402114 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:36647 
薄膜電阻和貼片電阻有以下區(qū)別：
1、結(jié)構(gòu)不同
薄膜電阻器采用金屬薄膜作為電阻體，端子連接在薄膜表面，而貼片電阻則是采用陶瓷基片作為電阻體，金屬電極連接在基片上，焊錫端子連接在金屬電極上
2023-09-01 17:49:47
model 3新款什么時(shí)候出 今日特斯拉發(fā)布新款Model 3煥新版25.99萬(wàn) 很多人都在關(guān)注model 3新款什么時(shí)候出？心心念念的Model 3煥新版今天終于來(lái)了。 今日特斯拉發(fā)布新款
2023-09-01 17:06:47808 
片式NTC熱敏電阻一共有幾種結(jié)構(gòu)分別是什么?? 片式NTC熱敏電阻是一種熱敏元件，其電阻值在不同溫度下會(huì)發(fā)生變化。片式NTC熱敏電阻可以用于溫度測(cè)量、控制和保護(hù)等方面，因其其小巧的尺寸、快速的響應(yīng)
2023-08-31 11:20:33697 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，薄膜電容器扮演著至關(guān)重要的角色。然而，電阻是一個(gè)我們不得不面對(duì)的普遍問(wèn)題。幸運(yùn)的是，有一些措施可以采取來(lái)防止電阻的產(chǎn)生和發(fā)展。那么，如何有效地防止薄膜電容器的電阻？
2023-08-30 15:02:02276 微小電阻測(cè)量的方法? 微小電阻測(cè)量是一種重要的電測(cè)量技術(shù)，它廣泛應(yīng)用于電子、通信、醫(yī)療、航天、軍事等領(lǐng)域。在許多應(yīng)用中，需要對(duì)微小電阻值進(jìn)行非常精確的測(cè)量，因此需要使用特殊方法和技術(shù)來(lái)提高測(cè)量精度
2023-08-24 14:48:042560 生長(zhǎng)氮化鎵薄膜，形成GaN基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。由于氮化鎵材料的性質(zhì)優(yōu)良，GaN技術(shù)被廣泛應(yīng)用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-08-22 15:17:312374 Susumu公司NRG系列貼片電阻器。 Susumu NRG系列薄膜電阻器是由非磁性材料制成，適用于苛刻條件。 根據(jù)設(shè)計(jì)，它們的溫度系數(shù)最低可以達(dá)到±5 ppm/℃，也代表著良好的溫度穩(wěn)定性。電阻有著無(wú)機(jī)保護(hù)膜，確保了長(zhǎng)期穩(wěn)定性，其薄膜結(jié)構(gòu)確保了高等級(jí)的低噪音特性。 同時(shí)，這種結(jié)構(gòu)可
2023-08-09 13:51:52740 薄膜電阻器，也稱(chēng)為碳膜電阻器或金屬膜電阻器，是一種用于在電子電路中提供電阻的電子元件。它們是通過(guò)將電阻材料薄膜沉積到陶瓷或玻璃纖維基板上而構(gòu)造的。
2023-08-03 11:32:122634 
比起通用型片式電阻（RK73）把最高使用電壓加以高耐壓化
2023-08-02 16:47:01506 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車(chē)載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品
2023-07-27 11:06:201179 
來(lái)源：電子工程專(zhuān)輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。隨著下游新應(yīng)用規(guī)模爆發(fā)，以及氮化鎵襯底制備技術(shù)
2023-07-24 14:20:32291 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
2023-07-19 17:27:46523 
7月4日，vivoiQOO11S正式發(fā)布！200W快充再創(chuàng)速度紀(jì)錄，航天級(jí)氮化硼散熱材料功不可沒(méi)！在科技飛速更新的移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，vivoiQOO11S以200W的快充實(shí)非業(yè)內(nèi)首屈一指的。這款新型手機(jī)
2023-07-06 10:03:331403 
Q A 問(wèn)： Vishay熱敏電阻的計(jì)算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計(jì)算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個(gè)電阻-溫度表。此免費(fèi)工具可下載到任何一臺(tái)
2023-07-05 20:05:09295 
薄膜和厚膜電阻器是市場(chǎng)上最常見(jiàn)的類(lèi)型。它們的特征在于陶瓷基底上的電阻層。
2023-07-05 17:31:012083 
? 導(dǎo)電薄膜指的是具有導(dǎo)電性質(zhì)的薄膜材料，它可以使得電信號(hào)在平面上傳遞，同時(shí)還具有透光性和柔韌性。導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于觸摸屏、電池、顯示器等電子產(chǎn)品中，是現(xiàn)代科技發(fā)展的重要組成部分。 01 導(dǎo)電薄膜
2023-06-30 15:38:36955 第十二屆國(guó)防電子展將于2023年6月26-28日在北京國(guó)家會(huì)議中心舉辦 2023 年6月 25 日，于英國(guó)Clacton-on-Sea。 英國(guó)Pickering公司作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)
2023-06-25 15:59:11283 
認(rèn)證和用于航天航空應(yīng)用。
EPC憑借“測(cè)試器件至失效”的方法對(duì)其氮化鎵器件進(jìn)行可靠性測(cè)試，而且測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)，從而提高一代又一代的氮化鎵器件的穩(wěn)健性。該方法找出器件內(nèi)在故障機(jī)制，用于
2023-06-25 14:17:47
磁異信號(hào)探測(cè)具有重要的應(yīng)用價(jià)值，已被廣泛應(yīng)用于航空航天、國(guó)防軍事、工業(yè)生產(chǎn)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
2023-06-25 09:53:34444 
Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過(guò) AEC-Q200 認(rèn)證 節(jié)省電路板空間的同時(shí) 減少元器件數(shù)量 降低加工成本 Vishay? 推出加強(qiáng)版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay?Techno CDMA 系列電阻 節(jié)省空間型器件采用小型 2512 封裝 工作電壓達(dá) 1415 V 適用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用 Vishay? 推出新系列小型 2512 封裝汽車(chē)級(jí)厚膜片式
2023-06-21 07:40:00525 ? 推出新系列汽車(chē)級(jí) vPolyTan 表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器。 通過(guò) AEC-Q200 認(rèn)證的 Vishay Polytech T51 系列 電容器提高了高溫高濕工作條件下的性能，降低了等效
2023-06-21 06:10:00529 
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍(lán)光播放器的光盤(pán)激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開(kāi)始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
6×8mm QFN 封裝中，用于交流電或400V 直流電的輸入應(yīng)用。
無(wú)論是“全橋”還是“半橋”電路設(shè)計(jì)，納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片都能夠支持。GaNFast 氮化鎵功率芯片具備適用性極強(qiáng)
2023-06-15 14:17:56
東莞市雨菲電子科技有限公司，是一家致力于電阻式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸感應(yīng)線(xiàn)路、薄膜面板、薄膜面貼、觸摸屏貼合、觸摸顯示模組、單片機(jī)開(kāi)發(fā)、PCBA及整機(jī)解決方案提供的新興高科技企業(yè)
2023-06-13 11:08:32
全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商-國(guó)巨集團(tuán)，推出新款薄膜車(chē)用晶片電阻-VT系列，具備耐高壓、抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定性的特性，外殼尺寸1206，電阻范圍為162KΩ-1.5MΩ，具有±0.1%、±0.25
2023-06-12 10:45:46405 W，可選配 NTC 熱敏電阻用于內(nèi)部溫度監(jiān)控，預(yù)涂相變熱界面材料（PC-TIM）提高貼裝效率。 日前發(fā)布的器件采用鋁襯底取代金屬片，可用作預(yù)充電、放電、主動(dòng)放
2023-06-03 08:25:02533 
雷達(dá)是一種利用電磁波進(jìn)行探測(cè)和測(cè)距的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域
2023-06-02 18:01:129245 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:467174 電阻式傳感器是一種將物理量轉(zhuǎn)換為電阻值的傳感器，它能夠?qū)⒈粶y(cè)物理量轉(zhuǎn)化為電阻值的變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)物理量的檢測(cè)和測(cè)量。電阻式傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、航空航天、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域中，是一種重要的傳感器類(lèi)型。
2023-06-01 10:29:415738 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過(guò)渡金屬氮化物薄膜。最常見(jiàn)的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤(pán)金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:511748 東莞市雨菲電子科技有限公司，是一家致力于電阻式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸感應(yīng)線(xiàn)路、薄膜面板、薄膜面貼、觸摸屏貼合、觸摸顯示模組、單片機(jī)開(kāi)發(fā)、PCBA及整機(jī)解決方案提供的新興高科技企業(yè)
2023-05-22 10:32:54
東莞市雨菲電子科技有限公司，是一家致力于電阻式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸式薄膜開(kāi)關(guān)、 電容觸摸感應(yīng)線(xiàn)路、薄膜面板、薄膜面貼、觸摸屏貼合、觸摸顯示模組、單片機(jī)開(kāi)發(fā)、PCBA及整機(jī)解決方案提供的新興高科技企業(yè)
2023-05-22 10:27:59
高壓厚膜貼片電阻是一種特殊類(lèi)型的貼片電阻，它主要用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)景中，可以承受較高的電壓并提供較穩(wěn)定的阻值。該電阻器由一個(gè)陶瓷基片上的高阻值和高精度薄膜電阻層組成，該電阻層被覆蓋上一層厚膜介質(zhì)
2023-05-16 16:50:29
芯片電阻器和片式壓敏電阻器是同一個(gè)東西嗎？
2023-05-08 14:43:51
全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商-國(guó)巨集團(tuán)，推出新款薄膜車(chē)用晶片電阻-VT系列。 VT系列具備耐高壓、抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定性的特性；外殼尺寸1206，電阻范圍為162KΩ-1.5MΩ，具有±0.1
2023-05-05 20:02:13448 GHz 至 3.0 GHz 范圍內(nèi)具有 17dB 的典型增益和 1.2dB 的噪聲系數(shù)。QPL1002 非常適合國(guó)防和商業(yè)市場(chǎng)的寬帶通信應(yīng)用。QPL1002 采用
2023-04-24 19:55:27
海洋、航空航天和國(guó)防應(yīng)用以及天氣雷達(dá)通常使用所謂的S波段雷達(dá)。S波段雷達(dá)通常以2-4 GHz的頻率工作。由于波長(zhǎng)和頻率的原因，S波段雷達(dá)不容易衰減。這使得它們可用于近距離和遠(yuǎn)距離天氣觀測(cè)以及船上
2023-04-23 09:37:012586 QORVO?QPL1240是款線(xiàn)性陣列GaAs?pHEMT?75Ω差分放大器IC，工作帶寬為5–1218MHz。QPL1240具備17dB的增益值和較低的相位噪聲。差分推挽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具備優(yōu)異的二階互調(diào)
2023-04-21 11:37:12203 第一電阻電容器股份有限公司（Firstohm）成立于1969年，擁有包括芯片電阻在內(nèi)多項(xiàng)電阻器的制造技術(shù)，專(zhuān)營(yíng)生產(chǎn)制造薄膜電阻器。公司還自行成功研發(fā)并量產(chǎn)突波電阻（Surge Resistor
2023-04-20 16:34:17
QORVO?QPL1163是款線(xiàn)性陣列GaAspHEMT75Ω差分放大器IC，工作帶寬為5–1218MHz。QPL1163提供19dB的增益值和極低相位噪聲。差分移相總線(xiàn)結(jié)構(gòu)提供優(yōu)異的二階互換性
2023-04-19 10:58:13127 低阻低TCR高功率厚膜貼片電阻是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的電阻器件。它主要由薄膜電阻材料、基底材料、電極端子等組成。厚膜電阻器相比于薄膜電阻器具有更高的功率承載能力和更佳的溫度穩(wěn)定性，因此常常
2023-04-18 15:30:20941 
低阻低TCR高功率厚膜貼片電阻是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的電阻器件。它主要由薄膜電阻材料、基底材料、電極端子等組成。厚膜電阻器相比于薄膜電阻器具有更高的功率承載能力和更佳的溫度穩(wěn)定性，因此常常
2023-04-18 14:45:16
QPL9057TR7
2023-03-29 17:46:06
薄膜電阻應(yīng)用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊，如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于微波集成電路中，能夠縮小電路板空間，降低元器件成本。薄膜衰減器應(yīng)用于光通訊、微波集成電路模塊，其
2023-03-28 14:19:17
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