在本研究中,我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻,并演示了優化的工藝配方,使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷,我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計,作為一種很有前途的工藝發展。
2022-03-28 11:01:49
1943 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/39/F2/pYYBAGJBJR2AOhaTAACjTxto6nk027.png)
基本化學成分以Cl2為基礎,外加用于側壁鈍化的N2。優化的ICP蝕刻工藝能夠產生具有光滑側壁的高縱橫比結構。使用670nm波長的激光進行原位反射監測,以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:42
1024 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/42/E1/poYBAGJ7UQqAQz24AABS6NPL-es456.jpg)
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:46
7809 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/46/FC/poYBAGKXG4OAeNxIAABJJfB51GQ250.jpg)
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數是厚度和側壁角度。如果可能,對橫截面進行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側壁角度
2022-06-10 16:09:33
5070 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/49/C7/poYBAGKi_D2ADdpWAAC73hex7FU110.jpg)
在半導體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產生該材料的圖案的任何技術,該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產生在光刻中有詳細描述,一旦掩模就位,可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻,圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:52
2866 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/50/00/pYYBAGLFVKmAeXp3AABCz1UTFHw523.jpg)
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:06
2774 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/53/1C/poYBAGLPzm-ARGdcAAAacThL8Jo309.jpg)
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:25
2109 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/57/A2/pYYBAGLg7kGAaN0VAAA3gBAkpQU148.jpg)
傳統的光刻工藝是相對目前已經或尚未應用于集成電路產業的先進光刻工藝而言的,普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見下表)。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:29
13992 COMS工藝制程技術主要包括了:1.典型工藝技術:①雙極型工藝技術② PMOS工藝技術③NMOS工藝技術④ CMOS工藝技術2.特殊工藝技術。BiCOMS工藝技術,BCD工藝技術,HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設計、工藝技術基本要點和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
`請問PCB蝕刻工藝質量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
,可做細線路。歐美、中國企業大多數用此工藝生產。 2 板面也鍍蝕刻法(panel plating etch process) (1)流程下料→鉆孔→PTH(化學鍍銅)→板面鍍銅→光成像→酸性蝕刻
2018-09-21 16:45:08
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
目前,印刷電路板(pcb)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產中的靜電防護技術<br/><
2008-09-12 12:43:03
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對SiC 襯底缺陷密度相對較高的問題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優化刻蝕條件獲得了粗糙度為2?07 nm的刻蝕表面;犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
`書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:GaN 納米線制造和單光子發射器器件應用的蝕刻工藝編號:JFSJ-21-045作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
各向異性(晶體)化學蝕刻是半導體器件的基礎工藝技術,其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學設備(波導、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情,請加V獲取:hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個蝕刻步驟中的第一個用于確定蝕刻深度,它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
發射極感興趣,這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級問題。用于器件制造的關鍵技術操作之一是濕化學蝕刻。在我們之前的論文中,我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2(所謂的 KKI)溶液中
2021-07-09 10:23:37
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑(例如過氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是,蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-04-05 19:27:39
操作,并具備對PECVD或LPCVD工藝優化的能力; 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕;離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優先;5、熟悉計算機操作,具備相關專業英語閱讀能力; 6、工作認真細致、有
2012-12-19 22:42:16
介紹:由于不同類型的基板,剛柔結合PCB的制造過程是不同的。決定其性能的主要過程是細線技術和微孔技術。隨著電子產品小型化,多功能化和集中化組裝的要求,目前高密度PCB技術的剛柔結合PCB和嵌入式柔性
2019-08-20 16:25:23
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用,但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-20 08:01:20
SMOBC工藝;加成法SMOBC工藝等。下面主要介紹圖形電鍍法再退鉛錫的SMOBC工藝和堵孔法SMOBC工藝流程。 圖形電鍍法再退鉛錫的SMOBC工藝法相似于圖形電鍍法工藝。只在蝕刻后發生變化。 雙面覆
2018-09-14 11:26:07
。蝕刻工藝對設備狀態的依賴性極大,故必需時刻使設備保持在良好的狀態。【解密專家+V信:icpojie】 目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側邊線條和高質量的蝕刻效果
2017-06-23 16:01:38
如何提高多層板層壓品質在工藝技術
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術可用于晶圓凸起,每種技術有各自的優缺點。其中金線柱焊接凸點和電解或化學鍍金焊接凸點主要用于引腳數較少的封裝應用領域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高,因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
膜在精細線條的內層制作過程中合格率大大提高,同干膜相比節約20%的材料成本。顯影濕的速度要快30%,蝕刻速度也可提高10—20%,褪膜的速度也可增加,從而節約了能源、提高設備的利用率,最終成本降低
2018-08-29 10:20:48
先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是,蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
請詳細敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術
2011-04-13 18:34:13
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個很好的例子。 處理這一例子,鍺化硅工藝技術還在哪些高速通信領域應用呢?
2019-07-30 07:56:50
再流焊工藝技術研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術的發展,再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術要求,并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創新研發的0.16 微米硅片制造工藝技術在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術基礎上,將半導體器件及相關繞線尺寸進行10%微縮(實際尺寸為0.162 微米),大大降低了芯
2009-12-14 11:23:36
25 選擇性焊接工藝技術的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點、分類和使用工藝要點。選擇性焊接是現代組裝技術的新概念,它的出現
2009-12-19 08:19:41
14 常用PCB工藝技術參數.
2010-07-15 16:03:17
66 濕法貼膜技術在HDI細線路制作工藝中的應用(一)李
2006-04-16 21:21:59
901 濕法貼膜技術在HDI細線路制作工藝中的應用(三)李
2006-04-16 21:22:15
627 濕法貼膜技術在HDI細線路制作工藝中的應用(四)李
2006-04-16 21:22:22
1236 低成本的高密度互連(HDI)有機襯底是實施系統級封裝
2006-04-16 21:22:40
903 IC工藝技術問題 集成電路芯片偏置和驅動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:38
779 什么是CPU的生產工藝技術/向下兼容?
CPU的生產工藝技術 我們常可以在CPU性能列表上看到“工藝技術”一項,其中有“
2010-02-04 10:41:53
742 創建靈敏的MEMS結構的工藝技術介紹
表面微加工技術可用于創建微機電傳感器及激勵器系統,它能夠通過高適應度的彈性,形成錨
2010-03-11 14:20:49
651 采用SiGe:C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術的產品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術可提供高功率增益和優
2010-05-24 11:06:35
1367 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 半導體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術。
2016-05-26 11:46:34
0 PCB測試工藝技術,很詳細的
2016-12-16 21:54:48
0 撓性電路板化學鎳鈀金工藝技術研究
2017-01-22 20:56:13
0 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:16
28232 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質要求及控制要點,其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數及蝕刻工藝品質確認,最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解,具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:09
40469 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:00
4646 地描述,但實際上蝕刻技術的實現還是頗具有挑戰性,特別是在生產微細線路時,很小的線寬公差要求,不允許蝕刻過程存在任何差錯,因此蝕刻結果要恰到好處,不能變寬,也不能過蝕。
2019-07-23 14:30:31
3894 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/9E/67/pIYBAF02qYCASB9oAAHJYRzYk3k810.png)
在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝,可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:35
2708 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/9C/2B/pIYBAF0lj5KAG9vfAAG1f9DvAyA117.png)
要注意的是,這時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個
2019-07-08 14:51:34
2430 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/9A/D3/o4YBAF0i586Ab_4eAAHZasFWIK0592.png)
目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-01 16:33:53
2423 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/99/C5/pIYBAF0ZxWqAPoTyAAHMB28jn-g334.png)
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術來完成的,無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術。下面來詳細介紹這兩種工藝的加工特點及加工原理。
2019-04-28 15:10:52
31330 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時的板子上面有兩層銅。
2019-05-07 15:16:34
4042 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-06 10:13:21
8077 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用”圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化 學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-09 10:09:34
3924 在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術層的屬性定義層,以實現EDA框架和設計流程的平滑過渡。該工藝技術層實際上是用戶創建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體,其中包括了很多基本屬性設置,比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:41
2021 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/A9/A8/pIYBAF2cOUaARhUlAAQjxmVkt00666.png)
PCB板蝕刻工藝用傳統的化學蝕刻過程腐蝕未被保護的區域。有點像是挖溝,是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分,正片工藝使用固定的錫保護線路,負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:56
3060 隨著全球電子產品市場的需求升級和快速擴張,電子產品的小型化、高精密、超細線路印制電路板技術正進入一個突飛猛進的發展時期。為了能滿足市場不斷提升的需求,特別是在超細線路技術領域,傳統落后的蝕刻技術正被
2022-12-26 10:10:33
1688 本文檔的主要內容詳細介紹的是CMOS工藝技術的學習課件免費下載。
2020-12-09 08:00:00
0 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術綜述
2021-07-12 09:45:59
3 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結構,需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35
484 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/28/3F/poYBAGHD0LaADPpBAAB8I6oXl7E365.jpg)
濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業,特別是電子工業的重要
2022-01-20 16:02:24
1860 ![](http://file.elecfans.com/web2/M00/2E/32/pYYBAGHpFhqAYQuQAADYzHJYL7o325.png)
本文對單晶石英局部等離子體化學刻蝕工藝的主要工藝參數進行了優化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵下,在CF4和H2的氣體混合物中進行蝕刻。采用田口矩陣法的科學實驗設計來檢驗腔室壓力、射頻發生器
2022-02-17 15:25:42
1804 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/31/08/pYYBAGIN-HaARNe2AAObtZbbYe8273.png)
的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定,評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法,最后提出了一種濕蝕刻工藝,該工藝將快速去除缺陷,同時繼續保持所需的半各向異性蝕刻輪廓,這是大多數金屬
2022-02-28 14:59:35
1780 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/33/10/pYYBAGIcctiAa709AABF2svaNYY816.jpg)
了解形成MEMS制造所需的三維結構,需要SILICON的各向異性蝕刻,此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43
336 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/35/72/pYYBAGIq5NeAKVcjAABiOLJEeIY173.jpg)
我們開發了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝,通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構,這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結構以及具有
2022-03-14 10:51:42
581 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/35/C6/poYBAGIurb6AU3ExAABDxbRnQGA179.jpg)
薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比,應力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33
751 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3B/BC/poYBAGJOiMqASKxFAAAveCxTg8U963.jpg)
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37
668 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3F/E0/poYBAGJqUSWAGwtZAAIaaJ5IoEc263.jpg)
引言 我們華林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅動放電的rf功率無關。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14
904 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4B/0D/pYYBAGKm2iuARBrTAABEVJZbsRo403.jpg)
和蝕刻殘留物。開發的最終工藝產生了具有大約80度的單斜面側壁輪廓的穿過襯底的通孔,該通孔清除了蝕刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57
516 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4D/48/pYYBAGK0B7GAAvmIAACZ910uIGE109.jpg)
目前,大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個缺點,包括產生離子誘導損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁的典型均方根(rms)粗糙度約為
2022-07-12 17:19:24
3454 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/52/B6/pYYBAGLNPJyAS8nSAABXlK6z8Us140.jpg)
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34
736 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/59/8A/poYBAGLo3tqABvc4AAEmC3pr7kw890.png)
薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比,在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。
2022-08-26 09:21:36
2363 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/65/3E/pYYBAGMIH_qAY49eAAAfA43zli4922.png)
全面解讀電子封裝工藝技術
2022-10-10 11:00:51
876 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:43
3172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07
886 蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定,蝕刻率就會變化,因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31
575 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/6F/wKgaomRm33WACAr-AAAZ4pfWvT0708.png)
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11
1071 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/DF/wKgZomR1ouOAJy6CAAAMZTSeZ7A952.jpg)
關鍵詞:氫能源技術材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:16
3504 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/D6/poYBAGJqO-mASPG4AAAes7JY618194.jpg)
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象,通常發生在頂部,這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:43
1013 2006電子元器件搪錫工藝技術要求
2023-08-23 16:48:03
3 半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:54
1221 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/95/39/wKgaomTmw-SAd4fPAAAifQTkr34700.png)
在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝,可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57
811 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/2D/wKgaomT32GiAIIGGAAAM8SUaZtc659.jpg)
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中,在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕,稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30
670 干法蝕刻(dry etch)工藝通常由四個基本狀態構成:蝕刻前(before etch),部分蝕刻(partial etch),蝕刻到位(just etch),過度蝕刻(over etch),主要表征有蝕刻速率,選擇比,關鍵尺寸,均勻性,終點探測。
2023-10-18 09:53:19
788 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/A5/wKgZomUvOxaAGk9OAAAQ3vBfCFg603.png)
電子產品裝聯工藝技術詳解
2023-10-27 15:28:22
373 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/D3/wKgaomU7Z12ABTt1AAANm417HXY313.jpg)
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45
263 密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術,即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結了不同封帽工藝的特點以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28
171 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E7/wKgZomXa1wuAEvVPAAAxzIbVeLY910.png)
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