怎么用pll電路把一個12M的頻率倍頻到2.4g的? PLL電路是現(xiàn)代電子學技術中非常重要的一種電路,它可以用來把一個低頻信號轉換成高頻信號。PLL電路的主要作用是使用反饋控制來輸出一個穩(wěn)定的高頻
2023-09-02 14:59:40
226 pll倍頻最大倍數(shù)? PLL倍頻是一種常見的電路設計技術,通常用于將信號的頻率提高到需要的倍數(shù)。PLL倍頻的實現(xiàn)原理比較復雜,通常需要使用精密的電路元件、時鐘信號以及數(shù)字信號處理器。本文將詳細介紹
2023-09-02 14:59:30
266 本實驗活動介紹鎖相環(huán)(PLL)。PLL電路有一些重要的應用,例如信號調制/解調(主要是頻率和相位調制)、同步、時鐘和數(shù)據(jù)恢復,以及倍頻和頻率合成。在這項實驗中,您將建立一個簡單的PLL電路,讓您對PLL操作有基本的了解。
2023-07-10 10:22:24
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使用 PLL565 電路的 FSK 解調器幫助我們以最少的組件輕松生成 FSK 信號
2023-07-03 10:43:37
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本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:26 編輯
單晶片PLL電路PLL用IC已快速的進入高集積化,以往需要2~3晶片之情形,現(xiàn)在只需單晶片之專用IC就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:36
本文以SoC中的PLL為例,對PLL電路進行設計和仿真。
2023-06-02 15:25:44
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拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00
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PLL鎖相環(huán)版圖設計時應注意以下幾點:1)確定PLL的頻率范圍;2)確定PLL的控制電路;3)確定PLL的調節(jié)電路;4)確定PLL的輸出電路;5)確定PLL的濾波電路;6)確定PLL的控制參數(shù);7)確定PLL的輸出參數(shù)。
2023-02-14 15:42:59
1311 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀,分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理,指出了加工過程中的關鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:55
960 ,如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小,這個問題變得更加嚴重。BS顆粒可能在濕工作臺引起其他問題,其中BS顆; 粒可能轉移到鄰近的晶片前側。圖2顯示了這些FS顆 BS顆粒的典型來源是利用靜電或真空吸盤進行的晶片 處理,或者來自真空室中的板和工作臺,這導致如
2022-06-27 18:54:41
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高級應用 在正面具有對損壞敏感的關鍵結構的應用中,例如對于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片,該 系統(tǒng)可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背面化學噴嘴和配方配置,并保持正面干燥來實現(xiàn)
2022-06-27 17:04:27
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本文的目標是討論一種新技術,它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合,導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發(fā)展。 該技術針對晶
2022-05-07 15:11:11
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在這項研究中,我們華林科納使用經(jīng)濟特區(qū)單晶片自旋處理器開發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物,無論其涂層如何(無涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45
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拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37
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本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無論是與表面結構相關,缺陷相關,由于表面存在的氧化層,還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05
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作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00
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用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22
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產(chǎn)品描述JW?5213是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5213的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供
2022-04-11 11:40:40
產(chǎn)品描述JW?5211是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供高效率
2022-04-11 11:24:06
產(chǎn)品描述JW5222是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5222的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關
2022-04-11 11:07:25
產(chǎn)品描述JW5213A是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5213A的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供高效率。 在輕
2022-04-08 16:56:02
產(chǎn)品描述JW5223是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5223的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供高效率。 在輕負載
2022-04-08 16:42:53
產(chǎn)品描述JW5231是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5231的輸入范圍為2.5V-5.5V,可提供1.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供高效率
2022-04-08 16:37:08
產(chǎn)品描述JW5211是一款電流模式單晶片式降壓開關穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內部同步電源開關提供高效率
2022-04-08 16:33:31
噴涂工具、或單晶片旋轉工具。在批量浸漬工具中,與其他濕法加工工具相比,存在由水槽中晶片之間的顆粒轉移引起的交叉污染問題。批量旋轉噴涂工具用于在生產(chǎn)線后端(BEOL)進行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32
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實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當?shù)念A清洗,表面污染會形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導致晶片表面紋理特征不均勻,晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應商的不同,晶片的表面質量和污染水平可能會有所不同,預清洗條件可能需要定制,以達到一致和期望的紋理化結果。
2022-03-17 15:23:08
398 介紹了半導體晶片制造設備濺射機和濺射工藝對晶片碎片的影響,給出了如何減少晶片應力以達到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:08
2 摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關重要的,它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸,結果表明在沖洗時間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07
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近年來,隨著集成電路的微細化,半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導體的制造中,各工序之間進行晶片的清洗,清洗工序次數(shù)多
2022-02-22 16:01:08
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引言 近年來,隨著集成電路的微細化,半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導體的制造中,各工序之間進行晶片的清洗,清洗工序
2021-12-23 16:43:04
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半導體行業(yè)需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此,了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:40
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