全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產14奈米FinFET后，***晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍圖與量產時程表，希冀藉此一新技術，提供IC設計業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費性電子IC制造商機。

　　鰭式電晶體（FinFET）已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動通訊市場的關鍵利器。為進一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術積極研發(fā)FinFET架構，預計明后年即可開花結果，并開始挹注營收貢獻。

　　在眾家晶圓廠中，又以臺積電在FinFET的研發(fā)進展最快（表1）。臺積電預估2013年6月即可開始提供客戶16奈米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務 （Cybershuttle），并于明年底開始試產，后年初正式量產，搶先卡位市場商機，藉此鞏固全球晶圓代工市場龍頭地位。

　　研發(fā)進度超前　臺積16奈米明年試產

　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀指出，臺積電16奈米FinFET制程量產時程可望提前，預計明年底開始試產。

　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀（圖1）表示，盡管全球總體經濟狀況不甚理想，但是受惠于行動通訊市場需求強勁，目前臺積電包括65、40以及28奈米等先進制程的晶圓銷售量皆持續(xù)快速增長當中。

　　張忠謀進一步指出，目前20與16奈米制程技術進展已明顯加快，其中，20奈米已有約十五個客戶正進行投片（Tapeout）測試；16奈米研發(fā)時程則比先前預期更快，推出時間表將會比過往的制程更早，預估明年底試產，后年初即可開始放量。

　　另一方面，臺積電已于日前耗資新臺幣32億元標得竹南科學園區(qū)“園區(qū)事業(yè)專用區(qū)”兩筆土地，此用地未來將興建該公司18寸晶圓廠，并從事7奈米先進制程的研發(fā)，預計2016年開始動工興建，2017年相關研發(fā)設備將陸續(xù)進駐該廠。

　　臺積電今年資本支出約為85億美元，且新竹科學園區(qū)的Fab 12第六期廠房已開始裝機，有利20奈米明年初如期量產。張忠謀強調，明年臺積電的資本支出仍會持續(xù)增加，以擴增在先進制程上的實力。

　　事實上，臺積電今年第三季營收已再創(chuàng)佳績，其中先進制程的產品線貢獻最大。臺積電財務長暨資深副總經理何麗梅表示，28奈米制程出貨量較前一季多出一倍以上，占公司第三季晶圓銷售的13%；40奈米的營收占全季晶圓銷售的27%；而65奈米制程技術的營收則占全季晶圓銷售的22%。總體而言，上述先進制程的晶圓銷售達到全季晶圓銷售金額62%。

　　然而，對于今年第四季與明年初的景氣展望，臺積電仍是審慎以待。張忠謀認為，半導體供應鏈將在第四季開始進行存貨調整，因而影響晶圓制造需求，因此第四季與明年首度的成長幅度將向下微幅修正，但明年第二季后即可望恢復正常。

　　另一方面，聯(lián)電的14奈米FinFET制程技術亦將于2014年初開始試產，預計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35？40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。

　　導入FinFET制程技術　聯(lián)電14奈米后年亮相

　　聯(lián)電副董事長孫世偉表示，14奈米FinFET制程技術將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。

　　聯(lián)電副董事長孫世偉（圖2）表示，由于晶圓從28跨入20奈米制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光（Double Patterning）微影技術才能實現(xiàn)，而此一技術無論是微影機臺或者人力研發(fā)等成本都相當高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿意投資大筆資金導入，間接使20奈米市場需求無法擴大。

　　具備低功耗特性的FinFET制程技術，盡管仍無法省去雙重曝光微影技術的成本，但卻能大幅提升單位面積內電晶體的整體效能，降低IC設計商因雙重曝光微影技術所帶來的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術。

　　孫世偉進一步指出，在IBM FinFET技術授權的基礎下，聯(lián)電將跳過20奈米制程，直接跨入14奈米FinFET制程技術，藉此為通訊與行動運算領域客戶提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預計2014年初可完成驗證，并旋即進行試產。

　　然而，相較于臺積電與格羅方德 （GLOBALFOUNDRIES）均表示將于2014年初量產16/14奈米FinFET，聯(lián)電量產時程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關注焦點。孫世偉強調，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對FinFET制程所需的機臺制造技術亦較為成熟，且設備價格也較為便宜，再加上與IBM技術交流等助益，未來量產品質與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

　　另一方面，聯(lián)電28奈米產品線則可望于年底量產，并于明年第一季開始貢獻營收。孫世偉補充，首波28奈米Porting產品在經過幾個月元件及制程參數(shù)調整后，良率已獲得顯著提升，且公司亦于第三季成功投片使用28奈米后閘極 （Gate-last）高介電質金屬閘極（HKMG）制程的行動通訊產品，并陸續(xù)與客戶密切合作中。

　　對于各大晶圓廠皆預期第四季與明年初營收成長將趨緩，孫世偉表示，現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預估此波庫存調整將持續(xù)至明年初，景氣回溫的脈動將取決于明年總體經濟、終端產品市場需求與新產品交替力道強弱；而該公司未來將持續(xù)擴大客戶層面，改善產品組合，并進一步提升產能調配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。

　　盡管全球半導體產業(yè)開始進入庫存調整階段，但***IC制造產業(yè)仍可望在晶圓制造業(yè)者的帶領下逆勢成長，并在2013年達5.1%的成長率。尤其是未來臺積電若順利接下蘋果（Apple）A7處理器訂單后，更將有機會大幅帶動整體IC制造產業(yè)成長率向上攻頂。

　　晶圓代工廠帶頭沖　***IC制造業(yè)成長可期

　　工研院產經中心資深產業(yè)分析師彭茂榮表示，今年受到全球經濟情勢不佳影響，全球各機構均陸續(xù)下修2012年半導體產業(yè)成長預測；現(xiàn)階段全球半導體供應鏈正面臨庫存問題、產能利用率下滑等不利因素，這些都將對明年產業(yè)發(fā)展增添變數(shù)，而各家半導體廠商亦對營運績效的預期提出警訊，顯見對2013年景氣展望并不看好。

　　然而，盡管產業(yè)界對明年半導體市場成長率抱持保守看法，但***明年IC制造業(yè)成長表現(xiàn)仍將優(yōu)于全球平均。根據工研院最新統(tǒng)計報告顯示，今年***晶圓制造與記憶體制造產值分別為新臺幣6，467億元與1，793億元，占***整體半導體產業(yè)將近50.7%的產值，而明年產值比重分布隨著臺積電、聯(lián)電與世界先進等晶圓業(yè)者的先進制程產品線出貨量提升后，亦可望隨之攀升。

　　彭茂榮進一步指出，尤其是臺積電今年晶圓產能正持續(xù)穩(wěn)健擴張，加上該公司明年20奈米即將量產，可望爭取到蘋果下一代A7處理器等因素，皆將成為***IC制造業(yè)明年成長主要動能。

　　彭茂榮補充，臺積電為持續(xù)吸引客戶下單，并搶攻蘋果處理器訂單，2012年研發(fā)經費已為2009年的兩倍，而資本支出更是2009年的三倍。預估 2013~2014年間，臺積電極有可能獲得A7處理器代工訂單，且將占整體營收3？9%；三星（Samsung）掉單后，則將損失約30億美元的代工商機。

　　事實上，晶圓代工產業(yè)早已成為***IC制造業(yè)最重要的骨干，而臺積電亦憑藉領先的制程技術，正逐漸蠶食市場商機。彭茂榮分析，受惠于智慧型行動裝置滲透率持續(xù)提升、IDM委外需求增加以及中國大陸IC設計業(yè)者代工需求增加等因素，臺積電未來4年的營收年復合成長率（CAGR）可望大于10%，將持續(xù)帶動***IC制造業(yè)產值再創(chuàng)佳績。

　　綜上所述，包括臺積電、聯(lián)電與格羅方德等晶圓制造業(yè)者正展開一場FinFET量產時程競賽，預計明、后年晶圓代工市場競爭勢必更加劇烈，而行動通訊晶片的效能亦可望藉此新制程技術而更上層樓，***IC制造產值則將在臺積電與聯(lián)電帶領下持續(xù)擴大。

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