16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。

三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發(fā)已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個尖端節(jié)點，三星再次證明了其在先進晶圓代工市場的領導地位。

與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)新的標準單元架構(gòu)。

除了從7nm到5nm的功率性能區(qū)域（PPA）改進之外，客戶還可以充分利用三星的高度復雜的EUV技術。與其前身一樣，5nm在金屬層圖案化中使用EUV光刻，并減少掩模層，同時提供更好的保真度。

5nm的另一個主要優(yōu)點是三星可以將所有7nm知識產(chǎn)權(quán)（IP）重用到5nm。因此，7nm客戶過渡到5nm將極大地受益于降低的遷移成本，預先驗證的設計生態(tài)系統(tǒng)，從而縮短了他們的5nm產(chǎn)品開發(fā)。

三星Foundry與其“三星高級代工生態(tài)系統(tǒng)（SAFE）”合作伙伴密切合作，為三星5納米提供強大的設計基礎架構(gòu)，包括工藝設計套件（PDK），設計方法（DM），電子設計自動化（EDA）工具和IP，此自2018年第四季度開始提供。另外，三星Foundry已經(jīng)開始向客戶提供5nm多工程晶圓（MPW）服務。

“成功完成5nm開發(fā)，我們已經(jīng)證明了在基于EUV的節(jié)點中的能力，”三星電子制造業(yè)務執(zhí)行副總裁Charlie Bae說。“為響應客戶對先進工藝技術不斷增長的需求，以區(qū)分其下一代產(chǎn)品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術的批量生產(chǎn)。”

2018年10月，三星宣布準備并初步生產(chǎn)7nm工藝，這是其首個采用EUV光刻技術的工藝節(jié)點。該公司已提供業(yè)界首批基于EUV的新產(chǎn)品的商業(yè)樣品，并于今年初開始量產(chǎn)7nm工藝。

此外，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個定制的基于EUV的工藝節(jié)點，并且已經(jīng)收到了其首款6nm芯片的產(chǎn)品錄像帶。

Bae強調(diào)，“考慮到包括PPA和IP在內(nèi)的各種好處，三星基于EUV的先進節(jié)點預計將對5G，人工智能（AI），高性能計算（HPC）等新型創(chuàng)新應用有很高的需求，如汽車。利用我們強大的技術競爭力，包括我們在EUV光刻領域的領導地位，三星將繼續(xù)為客戶提供最先進的技術和解決方案。”

三星代工廠基于EUV的工藝技術目前正在韓國華城的S3生產(chǎn)線上生產(chǎn)。此外，三星將把其EUV產(chǎn)能擴大到華城的新EUV生產(chǎn)線，該生產(chǎn)線預計將在2019年下半年完成，并從明年開始增產(chǎn)。