納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 并入晶豪的宜揚(yáng)等高層轉(zhuǎn)戰(zhàn)武漢新芯，并傳出華亞科前資深副總劉大維在合肥招兵買(mǎi)馬，開(kāi)出3倍薪水挖角過(guò)去在臺(tái)有DRAM經(jīng)驗(yàn)的人才。不過(guò)，業(yè)界認(rèn)為大陸存儲(chǔ)器發(fā)展關(guān)鍵在于取得合法技術(shù)，至于生產(chǎn)制造及人才將是次要條件。
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
PROM，稱之為可編程存儲(chǔ)器。這就象我們的練習(xí)本，買(mǎi)來(lái)的時(shí)候是空白的，能寫(xiě)東西上去，可一旦寫(xiě)上去，就擦不掉了，所以它只能用寫(xiě)一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，就報(bào)銷(xiāo)了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-04 18:15:42
PROM，稱之為可編程存儲(chǔ)器。這就象我們的練習(xí)本，買(mǎi)來(lái)的時(shí)候是空白的，能寫(xiě)東西上去，可一旦寫(xiě)上去，就擦不掉了，所以它只能用寫(xiě)一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，就報(bào)銷(xiāo)了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-01 13:14:23
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會(huì)停止DRAM的投資。從目前各新興存儲(chǔ)器的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，讀寫(xiě)速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對(duì)功耗問(wèn)題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
對(duì)它的了解程度也隨之加深。而從技術(shù)方面來(lái)講，視爵光旭認(rèn)為目前我國(guó)led顯示屏技術(shù)主要存在以下四大問(wèn)題： 第一、led顯示控制芯片問(wèn)題 led電子顯示屏作為真彩高分辨率的一種新顯示媒體，以其清晰的圖像
2017-05-16 10:29:01
系統(tǒng)集成商，因此他們發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)的積極性會(huì)更高。 四大運(yùn)營(yíng)主體現(xiàn)狀分析物聯(lián)網(wǎng)商業(yè)化之路 一、設(shè)備制造商 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商能夠生產(chǎn)出看得見(jiàn)的產(chǎn)品，如傳感器、射頻卡、芯片等，用戶可以通過(guò)相關(guān)產(chǎn)品或業(yè)務(wù)
2015-03-20 12:52:05
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來(lái)說(shuō),誰(shuí)也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來(lái).再來(lái)看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見(jiàn)主要的問(wèn)題是來(lái)自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變。 可現(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類(lèi)【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén)，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開(kāi)發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開(kāi)發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數(shù)存儲(chǔ)器容量256Mb (16M x 16)存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)DRAM存儲(chǔ)器類(lèi)型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲(chǔ)器接口類(lèi)型Parallel
2018-10-24 11:14:57
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
CorePac 的內(nèi)部存儲(chǔ)器架構(gòu)與此前 C6000™ DSP 系列產(chǎn)品相比，主要在四個(gè)方面實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng)，而這突出體現(xiàn)在性能指標(biāo)和實(shí)用性方面。這些改進(jìn)旨在實(shí)現(xiàn)如下優(yōu)勢(shì)：1) 無(wú)論多個(gè)內(nèi)核和數(shù)
2011-08-13 15:45:42
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
問(wèn)：動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？答：當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類(lèi)的？分為哪幾類(lèi)？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
性存儲(chǔ)器：指當(dāng)電源被關(guān)斷之后，數(shù)據(jù)隨即消失的存儲(chǔ)器（如.RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器 ） 。這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是一般采用CMOS技術(shù)，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù)，因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲(chǔ)器
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性增加，傳統(tǒng)的綜合方法面臨越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。為此，Synplicity公司開(kāi)發(fā)了同時(shí)適用于FPGA或 ASIC設(shè)計(jì)的多點(diǎn)綜合技術(shù)，它集成了“自上而下”與“自下而上”綜合方法的優(yōu)勢(shì)，能提供高結(jié)果質(zhì)量和高生產(chǎn)率，同時(shí)削減存儲(chǔ)器需求和運(yùn)行時(shí)間。
2019-10-17 06:29:53
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
DDR3存儲(chǔ)器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個(gè)特定的FPGA系列LatticeECP3實(shí)現(xiàn)DDR3存儲(chǔ)器控制器。
2021-04-30 07:26:55
存儲(chǔ)器的基本測(cè)試技術(shù)有哪些？數(shù)字芯片測(cè)試的基本測(cè)試技術(shù)有哪些？
2021-05-13 06:36:41
Flash類(lèi)型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲(chǔ)器）。我已經(jīng)設(shè)法寫(xiě)和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問(wèn)題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁(yè)是NVM的一頁(yè)。謝謝，問(wèn)候，
2019-09-18 10:31:51
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時(shí)的重新定位問(wèn)題？怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲(chǔ)器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
視頻圖像處理的四大技術(shù)，了解一下無(wú)妨
2016-07-23 10:32:32
本文分別介紹了存儲(chǔ)器的分類(lèi)、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見(jiàn)存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器的選擇，最后描述了計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的一些新技術(shù)。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫(xiě)入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺(tái)和應(yīng)用的越來(lái)越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、臺(tái)式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲(chǔ)器技術(shù)
2020-05-21 07:52:006238 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563068 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展，除了對(duì)處理器提出了不同的需求之外，在三星電子內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)劃高級(jí)股總裁Jinman Han看來(lái)，存儲(chǔ)器也面臨著與此前不同的挑戰(zhàn)。
2019-09-03 16:23:56471 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會(huì)，展出了公司研發(fā)設(shè)計(jì)的包括第四代DRAM 存儲(chǔ)器在內(nèi)的全系列晶圓、顆粒及模組產(chǎn)品及全球首系列商用內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)（ECC）DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。全面展示了西安紫光國(guó)芯在集成電路存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:502843 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開(kāi)電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 根據(jù)專(zhuān)利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題，該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下：選通字線，通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫(xiě)設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24524 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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