三大存儲布局重讀

　　據***媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創新（GigaDevice）合作的合肥長鑫，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。

　　盡管大陸布局自制3D NANDFlash雛形漸現，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

　　長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3DNAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然***傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范，若是自行研發DRAM技術必須先量產3DNAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。

　　長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或購并現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠為第一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。

　　聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險，遂同時研發30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進行DRAM研發和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產并陷入激戰。

　　齊齊挖角華亞科

　　中國大陸兩大體系紫光和合肥長鑫同步鎖定挖角華亞科制程相關人才，其中由合肥市政府主導的存儲研發團隊合肥長鑫，開出三倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁，在存儲界丟出一顆震撼彈，凸顯中國大陸建立存儲自主技術的決心。

　　大陸高薪挖角的行動，也將讓本月才正式并入美光的華亞科，甚至臺塑集團旗下的南亞科，明年將有大批人才跳槽，如何挽留這些人才，將成為首要課題。

　　中國大陸已將存儲列為國家發展半導體產業重項扶植項目，除了明定紫光集團為指標廠外，各地方政府也積極整合，希望列入國家級補助計劃之列。

　　不過在爭取和國外技術授權后，以武岳鋒為首的大陸基金，和國家大基金都各自積極整合尋求突圍，其中以合肥與中國大陸NANDFlash設計公司兆易創新（Gigadevice）合作的合肥長鑫和清華紫光集團最為積極。

　　消息人士透露，合肥長鑫除了計劃和武岳鋒基金并入的美商矽成（ISSI）合并，也挖角華亞科前資深副總劉大維，展開大批挖角華亞科人才行動。據了解，合肥長鑫開出現有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。

　　另外，華亞科前董事長高啟全跳槽紫光集團擔任資深副總裁，紫光納入武漢新芯整合成立長江存儲公司后，也挖角前華亞科主管廠務的子弟兵施能煌擔任紫光集團高級副總裁，并相繼帶走近十位子弟兵，投入在武漢興建3DNANDFlash的建廠及后續自主研發DRAM技術作業。臺系存儲人才面臨空前的挖角行動。

　　而連同瑞晶前總經理陳正坤帶領的臺系團隊，投入為福建晉華興建利基型DRAM代工廠，明年可謂臺系DRAM人才大舉向大陸靠攏的一年。