在我們的項(xiàng)目中，時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲(chǔ)器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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雖然說(shuō)使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時(shí)修改或存儲(chǔ)時(shí)，使用FRAM就更為方便一點(diǎn)。這一節(jié)我們就來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)FM24xxx系列FRAM的驅(qū)動(dòng)。
2022-12-08 15:09:11855 
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類(lèi)產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō)，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度
2023-09-22 08:01:59496 
“今天的發(fā)布會(huì)上，我將給大家介紹最新一顆鐵電（FRAM）MSP430產(chǎn)品。截至目前為止，TI是唯一一家在市場(chǎng)上提供FRAM MCU的公司”，德州儀器半導(dǎo)體事業(yè)部嵌入式產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理吳健鴻（Paul
2014-07-03 10:15:012882 中來(lái)工作。閃存或EEPROM存儲(chǔ)器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過(guò)柵極氧化物。這產(chǎn)生長(zhǎng)的寫(xiě)入延遲并且需要高的寫(xiě)入功率，這對(duì)存儲(chǔ)單元具有破壞性。相比之下，FRAM
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認(rèn)證芯片促進(jìn)應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
聚焦AIoT智能新應(yīng)用
2020-12-02 06:06:54
和配置信息。如果應(yīng)用中所有存儲(chǔ)器的最大訪問(wèn)速度是70ns，那么可以使用1片FRAM完成這個(gè)系統(tǒng)，使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單。（3）FRAM與DRAMDRAM適用于那些密度和價(jià)格比速度更重要的場(chǎng)合。例如DRAM
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲(chǔ)器。它具有100億次的讀寫(xiě)次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達(dá)到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
操作是通過(guò)在MTJ兩端施加非常低的電壓來(lái)完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無(wú)限的操作。圖3：MRAM讀寫(xiě)周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1個(gè)晶體管–1個(gè)鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過(guò)溫度或壓力發(fā)送器讀取）。此外，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運(yùn)行時(shí)對(duì)配置參數(shù)進(jìn)行編程。通過(guò)此類(lèi)功能，無(wú)需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲(chǔ)密度，可以支持完全隨機(jī)的讀寫(xiě)訪問(wèn)，并且可以獲得所有結(jié)果而沒(méi)有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會(huì)，介紹全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）解決方案，該器件可在高達(dá)攝氏
2017-08-18 17:56:43
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
電源范圍內(nèi)工作。此外，與存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)器設(shè)備，FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯(cuò)誤率(SER)檢測(cè)極限以下。FRAM的優(yōu)勢(shì)的影響漣漪通過(guò)的系統(tǒng)，例如無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)，需要高速寫(xiě)入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
本文以星載測(cè)控系統(tǒng)為背景，提出了一種基于 Actel Flash FPGA的高可靠設(shè)計(jì)方案。采用不易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的 flash FPGA芯片，結(jié)合 FPGA內(nèi)部的改進(jìn)型三模冗余、分區(qū)設(shè)計(jì)和降級(jí)重構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了高實(shí)時(shí)、高可靠的系統(tǒng)。
2021-05-10 06:58:47
單芯片FRAM存儲(chǔ)解決方案成為嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2019-07-08 06:03:16
評(píng)估閃存系統(tǒng)可靠性，是因?yàn)殚W存的耐用性規(guī)范反映的是平均故障率，每個(gè)具體塊的耐用性有高有低。此外，保留的可靠性會(huì)隨耐用性極限的接近而下降，因?yàn)楸Ａ羰歉鶕?jù)每個(gè)存儲(chǔ)器元素的磨損進(jìn)行統(tǒng)計(jì)的。 圖1：FRAM
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在類(lèi)似如上所述的系統(tǒng)中，FRAM 可帶來(lái)多種優(yōu)勢(shì)。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫(xiě)入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲(chǔ)器保護(hù)單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
《多媒體電教室的基本構(gòu)成設(shè)備》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《多媒體電教室的基本構(gòu)成設(shè)備(27頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谌巳宋膸?kù)網(wǎng)上搜索。1、多媒體組合教學(xué)應(yīng)用系統(tǒng) 多媒體電教室 一、多媒體概述 多媒體
2021-09-08 08:13:53
對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類(lèi)產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō)，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫(xiě)入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁(yè)面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁(yè)面大小需要更多頁(yè)面寫(xiě)操作和更多寫(xiě)周期時(shí)間。因此造成額外的寫(xiě)延遲。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">FRAM不是分頁(yè)的存儲(chǔ)
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
量級(jí)GB/TB/PB/EB/ZB)！在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，低容量密度的嵌入式系統(tǒng)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一直似乎風(fēng)平浪靜，其中利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的FRAM技術(shù)波瀾不驚的從一個(gè)小眾產(chǎn)品變成覆蓋幾乎絕大部分
2020-10-30 06:42:47
如今，有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)如何？ FRAM 是一項(xiàng)非常強(qiáng)大可靠的存儲(chǔ)技術(shù)，即使在高溫環(huán)境下也是如此。 在溫度為 85 攝氏度時(shí)，FRAM 的數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過(guò) 10 年。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)***的身份識(shí)別 (ID)卡
2018-08-20 09:11:18
可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
無(wú)線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)的相關(guān)技術(shù)有哪些？無(wú)線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)組網(wǎng)特點(diǎn)是什么？無(wú)線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)是有哪些部分組成的？無(wú)線流媒體監(jiān)控系統(tǒng)主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？
2021-05-25 06:52:23
、火車(chē)站、大型商場(chǎng)、商業(yè)區(qū)、商業(yè)小區(qū)、體育場(chǎng)、廣場(chǎng)等人流量大、商業(yè)價(jià)值高的區(qū)域，媒體發(fā)布中心則在各廣告運(yùn)營(yíng)商的企業(yè)中心。在2.5G的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下，各媒體廣告運(yùn)營(yíng)商主要采用有線網(wǎng)絡(luò)的形式和人工更換廣告存儲(chǔ)設(shè)備
2015-11-18 09:05:41
MSP430FR2311這個(gè)單片機(jī)的fram存儲(chǔ)地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
最近抽空參加了2013富士通半導(dǎo)體的MCU/FRAM鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)研討會(huì)，演講的是一個(gè)華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說(shuō)：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
便攜式和無(wú)線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲(chǔ)器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)完。通過(guò)比較可以看到，如果要寫(xiě)很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器里，FRAM速度會(huì)更快而所需功耗卻最低。從擦寫(xiě)數(shù)據(jù)次數(shù)來(lái)看，一般存儲(chǔ)器寫(xiě)一萬(wàn)來(lái)次就到了極限，可FRAM可以在寫(xiě)了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)
2020-05-07 15:56:37
電子工程師的關(guān)注，在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中用FRAM實(shí)時(shí)保存數(shù)據(jù)的方法可使稅控機(jī)的數(shù)據(jù)更可靠，軟件編程更容易用性。 2.3 鐵電存儲(chǔ)器在電子道路收費(fèi)中的應(yīng)用 2.3.1 概述 電子道路收費(fèi)系統(tǒng)
2014-04-25 11:05:59
針對(duì)媒體分發(fā)網(wǎng)絡(luò)(MDN)系統(tǒng)中現(xiàn)有媒體分發(fā)存儲(chǔ)策略所存在的問(wèn)題，為進(jìn)一步提高系統(tǒng)的性能和滿足更多用戶的點(diǎn)播請(qǐng)求，提出一種基于分塊的存儲(chǔ)策略，該策略通過(guò)對(duì)每部影片
2009-03-30 10:12:19
28 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫(xiě)入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 本文介紹了基于DSP 的硬盤(pán)存儲(chǔ)式數(shù)字媒體系統(tǒng)的特點(diǎn)、應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)方案，重點(diǎn)介紹了系統(tǒng)的各個(gè)功能單元、數(shù)字媒體芯片的選擇和使用，并介紹了該系統(tǒng)的發(fā)展前景。DSP 既是數(shù)
2009-08-07 08:33:0517 提供可靠服務(wù)的P2P 流媒體點(diǎn)播系統(tǒng):針對(duì)P2P 流媒體點(diǎn)播的穩(wěn)定性和可靠性問(wèn)題，該文提出一種基于節(jié)點(diǎn)可靠度和服務(wù)質(zhì)量評(píng)價(jià)的點(diǎn)播系統(tǒng)結(jié)構(gòu)RP2MoD。節(jié)點(diǎn)根據(jù)父節(jié)點(diǎn)的失效概率計(jì)算
2009-10-28 23:10:1222 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)
2008-01-30 09:13:504172 
什么是閃存卡/U盤(pán)/SD卡/FIFO/FRAM
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)
2010-03-24 16:49:501649 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 :針對(duì)當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)存在的存儲(chǔ)服務(wù)瓶頤問(wèn)題，介紹了一種高可靠可擴(kuò)展PC集群存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，并提出了對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)結(jié).點(diǎn)所掛磁盤(pán)的分組方案，對(duì)大小數(shù)據(jù)對(duì)象分別采用不同的
2011-09-21 16:50:000 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近幾年，FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來(lái)要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 的人經(jīng)常會(huì)看到，配置有電子標(biāo)簽的注射器具。手術(shù)器具要用伽瑪射線進(jìn)行消毒，能夠抵抗照射劑量高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的只有內(nèi)置FRAM（非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器）的電子標(biāo)簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品。
2017-03-28 15:26:181564 
今天，像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專(zhuān)家對(duì)助聽(tīng)器噪聲，或是需要更換所用設(shè)備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品
2017-03-28 18:11:581494 
遇到的縮寫(xiě)還是以FeRAM居多）作為一種新的存儲(chǔ)方式來(lái)報(bào)道，而現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用借FRAM的特性實(shí)現(xiàn)了自身在可靠性、性能等方面的突破。
2017-03-28 18:41:571055 與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫(xiě)入速度更快。對(duì)于類(lèi)似的寫(xiě)入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫(xiě)入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的擴(kuò)張，新連接的設(shè)備數(shù)有望到 2020 年達(dá)到數(shù)十億。連接這些設(shè)備的主要原因之一是要通過(guò)數(shù)據(jù)處理實(shí)現(xiàn)更智能的自動(dòng)化系統(tǒng)。這些設(shè)備收集的數(shù)據(jù)越多，越有利于作出更明智的決策以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。
2017-04-26 17:19:17775 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
2017-09-17 16:34:229447 
富士通在開(kāi)發(fā)高質(zhì)量、高可靠性存儲(chǔ)器FRAM的方面，具有17年以上的豐富量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，并在智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，已取得卓越的應(yīng)用成果。與時(shí)俱進(jìn)，富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815 次)和抗輻射特性，非常適合許多工業(yè)類(lèi)和醫(yī)療類(lèi)應(yīng)用。 在前不久的工業(yè)計(jì)算機(jī)與嵌入式系統(tǒng)展上，富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者，FRAM是嵌入式領(lǐng)域一個(gè)比較有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，對(duì)設(shè)計(jì)有幫助，很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲(chǔ)器。
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的首字母縮寫(xiě)，它是非易失性存儲(chǔ)器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱(chēng)上說(shuō)，FRAM是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。
2018-04-04 09:07:309 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲(chǔ)器 引言： FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來(lái)低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PIC18F87K90單片機(jī)讀寫(xiě)FRAM鐵電存儲(chǔ)器的方法存儲(chǔ)器免費(fèi)下載。
2019-01-23 16:41:2532 媒體聚焦丨瑞薩電子兩大科技令嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)邊緣智能和擺脫電池束縛
2019-07-02 14:11:521784 FM24CL FRAM 存儲(chǔ)模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標(biāo)板 FRAM外擴(kuò)存儲(chǔ)
型號(hào) FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
和FLASH非易失性內(nèi)存相比，FRAM在EDR應(yīng)用上有三大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。對(duì)于那些有精確時(shí)間要求的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，FRAM會(huì)立即具備非易失性。這些應(yīng)用在系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí)，最重要的數(shù)據(jù)，如數(shù)據(jù)記錄器通常會(huì)面臨風(fēng)險(xiǎn)。FRAM擦寫(xiě)周期為10E+14，而EEROM為10E+6，F(xiàn)LASH為10E+5，。因此FRAM是數(shù)據(jù)記錄
2020-05-26 11:03:431080 
SPI-FRAM之前，有幾個(gè)參數(shù)需要進(jìn)行一些系統(tǒng)級(jí)分析，包括輸出負(fù)載，啟動(dòng)時(shí)間以及加電和斷電斜坡。 比較的可靠性考慮 CY15B104QN FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)設(shè)備。這些材料的固有電偶極子
2020-09-19 10:07:311628 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě)，高讀寫(xiě)耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108 獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類(lèi)型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)
2021-05-04 10:17:001850 
監(jiān)控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲(chǔ)器性能和耐久性設(shè)計(jì)。只有非易失性?高速?高讀寫(xiě)耐久性的車(chē)規(guī)級(jí)的存儲(chǔ)器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無(wú)遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫(xiě)耐久性，高速寫(xiě)入操作： ?系統(tǒng)每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開(kāi)始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 
開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡(jiǎn)單介紹一下為何可以說(shuō)FRAM車(chē)規(guī)級(jí)是滿足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇。 為什么這么說(shuō)？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開(kāi)始說(shuō)起。FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫(xiě)更快、壽命更長(zhǎng)，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計(jì)量系統(tǒng)中使用的主要存儲(chǔ)器，由于具有高耐用性、快速寫(xiě)入和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)；隨著電子設(shè)備和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見(jiàn)的計(jì)量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2021-05-16 16:59:521643 
器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導(dǎo)體的FRAM器件從開(kāi)始交付給工業(yè)市場(chǎng)已超過(guò)21年。因此，富士通FRAM是具有成熟量產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)的高性能和高度可靠的存儲(chǔ)器。 這么優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)器都用在了哪里呢？今天小編就為大家梳理一下FRAM的應(yīng)該領(lǐng)域。 物聯(lián)
2021-10-28 10:26:562565 便攜式和無(wú)線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲(chǔ)器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車(chē)EDR設(shè)計(jì)中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，FRAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫(xiě)耐久性，更快的寫(xiě)入速度操作和更低的功耗。今天進(jìn)行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲(chǔ)器稱(chēng)FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫(xiě)入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車(chē)EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
舞臺(tái)音響是一種用于舞臺(tái)演出的音響設(shè)備，舞臺(tái)音響通常會(huì)采用外掛小容量的器件來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此就要求存儲(chǔ)器具有安全、可靠的特性。下圖為舞臺(tái)音響的原理框圖，在本方案中，存儲(chǔ)采用拍字節(jié)的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM
2022-11-25 09:27:52474 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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