SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM,頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
6936 據(jù)臺灣媒體報道, 3月25日,三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計劃,訪問速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍,并提供迄今為止最大的容量,從而加速數(shù)據(jù)中心和超級計算機(jī)的轉(zhuǎn)型。三星稱,DDR5 速度高達(dá)
2021-03-25 14:17:15
11071 ,隨著近期DRAM內(nèi)存的價格普遍開始下降,跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價格為何一開始那么貴呢,難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值? ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從
2022-07-12 08:27:00
8644 2020年7月,DDR 5新標(biāo)準(zhǔn)誕生,令人興奮的DDR5技術(shù)保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設(shè)計人員熟悉的承諾。但是,就像生活中的大多數(shù)事情一樣,沒有免費(fèi)的午餐。降低功耗和提高速度的進(jìn)步
2021-01-22 15:29:13
4476 2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
434 
盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08
280 隨著現(xiàn)代計算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能
2020-02-16 07:34:00
1451 高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
2020-09-09 11:48:39
793 作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前,嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:44
2591 近日,嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM,頻率4800MHZ,電壓1.1V,時序40-40-40? 1.1V ,容量16G(單面)/32G(雙面
2021-04-27 09:00:00
13496 劉洋意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)目前宣布其首批整合其高性能8位架構(gòu)的超低功耗8位微控制器STM8L系列開始量產(chǎn)。STM8L系列以節(jié)省運(yùn)行和待機(jī)功耗為特色,該平臺采用意法半導(dǎo)體
2019-07-24 08:03:04
5G WiFi 低功耗芯片有嘛? ?有沒有單芯片方案 ?
2018-05-14 02:20:36
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢?
2021-06-18 08:19:59
國產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)?DDR5尚未真正普及的原因是什么?
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5
2023-06-28 09:09:11
先生悄悄的告訴大家,DDR5已經(jīng)來啦!!! 高速先生在研討會或者和客戶培訓(xùn)的時候,每當(dāng)講到DDR的文檔,都會把這張DDR的發(fā)展歷程圖拿出來介紹,給大家講述DDR技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程。從這張圖上可以看到,DDR
2021-08-12 15:42:06
來源:電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報告,2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
全球首款0.3-87 GHz頻段手持頻譜分析儀——SAF Spectrum Compact
2021-01-13 07:28:24
Qorvo與上海移遠(yuǎn)通信推出全球首款采用Phase 6解決方案的M2M/IoT模組
2021-03-11 07:14:58
深圳展嶸電子有限公司梁東:***QQ:38839547ETA9085,是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉芯片,帶4顆電量燈,也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常完善,其特點如下
2019-08-24 09:36:06
`ETA9085,是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉芯片,帶4顆電量燈,也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常完善,其特點如下: 1、輸入耐壓高達(dá)20V,適應(yīng)快充和PD市場高耐壓
2019-08-22 14:55:38
美光科技公司宣布,將推出面向全球手機(jī)用戶的新型MT9D011低功耗200萬像素CMOS成像傳感器。 隨著消費(fèi)者對手機(jī)、第三代智能電話等設(shè)備的高分辨率相機(jī)的要求,美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
Altera公司近期宣布,開始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產(chǎn)芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA,比競爭解決方案高出一個速率等級
2012-05-14 12:38:53
深圳展嶸電子有限公司需要了解更多的親:可致電小梁:***QQ:38839547ETA9085,是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉芯片,帶4顆電量燈,也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085
2019-08-24 10:55:10
``需要了解更多的親:可致電小向:***QQ;2401667787微信:18038075256ETA9085,是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉芯片,帶4顆電量燈,也是全球首顆全集成超低功耗芯片
2019-08-22 17:02:33
`需要了解更多的親:可致電小慧:***微信:hui2530312447ETA9085,是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉芯片,帶4顆電量燈,也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常
2019-09-02 14:32:58
今日(5月6日)消息,IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方...
2021-07-20 06:51:04
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
,DDR5 CAC信號的ODT閃亮登場!我猜最激動還是Layout攻城獅:DDR5的CAC信號有了ODT功能,PCB布線約束可以放寬松了嗎?畢竟,哪里信號質(zhì)量差就可以端接哪里,So easy。帶著這個
2022-12-28 14:47:13
摘要:· 與Gen1 DDR5設(shè)備相比,數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%· 為未來的服務(wù)器平臺提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存· 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品
2023-02-22 10:50:46
DDR4存儲器模塊面世,運(yùn)作電壓同樣在1.2V,同時宣布預(yù)計在2012年下半年開始大批量生產(chǎn)。此后的2012年5月,美光宣布將在2012年后期使用30nm制程生產(chǎn)DRAM及閃存顆粒。然而直到2014年
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
作者:一博科技高速先生自媒體成員 黃剛上篇文章我們介紹了DDR5的一些總體特點,也到了很多網(wǎng)友的關(guān)注,文章獲得了很多的點擊和閱讀量。因此高速先生也應(yīng)廣大網(wǎng)友的要求,在本期增加關(guān)于DDR5的仿真技術(shù)
2021-08-19 17:33:47
,F(xiàn)FE,DFE這些!關(guān)于高速信號的介紹就到這里,高速先生差點忘記本文其實主要想寫的是DDR仿真了! 前面文章對DDR5標(biāo)配的速率也有了簡單的介紹,它的起步基本是DDR4的天花板,也就是3200Mbps
2021-08-27 16:39:08
`訊,易飛揚(yáng)即日宣布量產(chǎn)兩款高性能的100G光模塊:100G QSFP28 CWDM4 和100G QSFP28 PSM4。兩種產(chǎn)品采用同一個技術(shù)平臺和生產(chǎn)平臺。本次建設(shè)投產(chǎn)的CWDM4/PSM4
2017-12-04 11:03:01
找一款12V轉(zhuǎn)5V的電壓芯片,空載情況下,盡可能的電流小,因為是用電池做電源,要求低功耗,我現(xiàn)在用的LM2842,靜態(tài)功耗為1.5mA。大家能不能推薦一款這樣的芯片,靜態(tài)電流最好比1.5mA還小。
2019-05-21 00:40:36
強(qiáng)敵三星。一直以來,NAND FLASH的晶圓芯片都是由三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士5家大廠“壟斷”,占據(jù)整個市場的70%份額;只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場策略變化,都直接影響到市場特別是
2016-07-29 15:42:37
G多種通訊模式,符合最新的3GPP R15標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,支持Sub-6GHz 頻段及100MHz帶寬,是一款高集成、高性能、低功耗的5G基帶芯片。此外,春藤510可同時支持SA(獨(dú)立組網(wǎng))和NSA(非獨(dú)立組網(wǎng)
2019-09-18 09:05:14
`日前,三星宣布已開始批量生產(chǎn)業(yè)界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP產(chǎn)品。美光也曾推出了uMCP產(chǎn)品,基于1znm LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP4,可提供從
2019-12-25 14:38:44
DDR5 RAM具有哪些新功能?
2021-06-21 06:21:20
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:20
3096 SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:49
4361 盡管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā),但芯片大廠之間早就開始了暗自較勁。
2019-02-26 08:50:14
5385 
近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機(jī),優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:47
2806 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:24
4664 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:38
2779 
DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:04
10082 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們在DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:04
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2月6日,美光科技宣布,已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗LPDDR5 DRAM芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
2020-02-06 15:55:38
2206 今天上午,美光科技宣布,已交付全球首款量產(chǎn)的 LPDDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)上。
2020-02-06 17:03:07
2665 2月6號上午,美光科技宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。之后小米方面也科普了有關(guān)LPDDR5內(nèi)存相關(guān)信息,雷軍也在微博中稱LPDDR5內(nèi)存對智能手機(jī)性能提升影響巨大。
2020-02-07 16:08:07
2617 隨著現(xiàn)代計算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47
760 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米 10
2020-02-24 15:39:17
723 目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:43
2758 驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長,服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:00
8968 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5(LPDDR5
2020-04-23 17:16:50
2737 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51
689 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載美光的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶帶來完整的5G功能
2020-04-27 16:00:00
830 JEDEC還沒有正式發(fā)布DDR5規(guī)范,但是DRAM制造商和SoC設(shè)計人員正在全力準(zhǔn)備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對這項新技術(shù)進(jìn)行了宣傳,并在之后發(fā)布了臨時DDR5 IP
2020-06-08 17:37:34
5232 中應(yīng)該都不支持DDR5,現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示,今年預(yù)計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品,但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上,但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:12
2481 2020 年 9 月 9 日,日本東京訊 - 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布,面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器和高性能工作站應(yīng)用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。
2020-09-09 15:19:15
2282 DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:17
16372 SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊,這標(biāo)志著與自2013年以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR
2020-10-20 14:01:29
3594 北京時間10月27日消息,內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology(美光科技)宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:47
2859 2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度,兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:07
5502 日前,十銓(TEAMGROUP)宣布了旗下DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,歸屬ELITE序列。
2020-12-01 16:02:36
1971 作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前,嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:58
1800 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組,有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示,正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:36
1735 DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露,嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通,引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù),并且已經(jīng)開始籌備DDR5生產(chǎn)線,最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然,嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商,不過很有可能
2020-12-08 17:14:25
2447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了,算算迭代的速度,DDR5也該來了,而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:55
2251 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼: MU)今日宣布,已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5
2021-02-26 12:02:25
2828 DDR5內(nèi)存的第二大改良是工作電壓(VDD)有所下降,進(jìn)而帶來功耗的相應(yīng)降低。采用DDR5之后,DRAM、緩沖芯片寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(DB)的供電電壓從1.2V下降到1.1V。
2021-04-20 15:22:37
4788 MICRON的低功耗DRAM(LPDRAM)產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇,能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機(jī)和其它智能產(chǎn)品中收獲最大化利益。新型MICRONLPDDR5DRAM
2021-11-11 14:36:10
544 2020年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。進(jìn)入2021年,多家存儲企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:43
2494 
2021年10月9日北京訊,全球存儲領(lǐng)袖金士頓宣布,即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認(rèn)證,這是一個重要的里程碑,因為金士頓的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:16
1134 SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術(shù),相較第二代10納米級(1y)DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產(chǎn)效率,其速度提升高達(dá)33%。
2022-03-29 17:20:52
1533 日前,芯動科技率先突破10Gbps,以先進(jìn)FinFet工藝量產(chǎn)了全球最快的LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案,速度領(lǐng)先市場最高端LPDDR5(6.4Gbps)一倍左右。該全套技術(shù)方案
2022-06-24 11:55:09
3038 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:57
2298 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:50
3918 該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:48
1025 新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢,不僅傳輸速率能增加50%,工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V,能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。
2022-10-17 10:55:59
1496 近日,長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機(jī)存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢為國內(nèi)外客戶提供高性價比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域
2022-11-22 10:51:52
822 近日,長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機(jī)存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢為國內(nèi)外客戶提供高性價比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域
2022-11-24 16:17:53
1614 -三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29
521 -? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)
2022-12-21 21:19:54
756 
服務(wù)器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布,公司研發(fā)的第四代10納米級(1a)DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾(Intel?)近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:26
610 DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5,服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:47
1605 業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。
2023-06-05 10:36:31
302 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
12823 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時,主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計到2023年底,他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48
603 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31
106 
如今,各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn),無論是PC、筆記本電腦還是人工智能,都對DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能,逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年,DDR5作為一款高附加值的DRAM,將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41
306 
近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58
289 和DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設(shè)備設(shè)計的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它具有低功耗的特點,能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它更注重性能和可靠性。 在時序方面,LPDDR5的時序比DDR5慢。這是因為LPDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗,因此它采用
2024-01-04 10:22:06
1166 瀾起科技,一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新,近日再次實現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級,他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片(DDR5 RCD04),進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:11
457 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:05
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