三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
發(fā)表于 04-18 10:52
據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
發(fā)表于 02-13 16:42
?661次閱讀
近日,三星電機(jī)(Samsung Electro-Mechanics)宣布成功推出全球首款專為自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)設(shè)計(jì)的1005尺寸超小型高容量多
發(fā)表于 02-10 17:37
?691次閱讀
據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
發(fā)表于 01-23 15:05
?545次閱讀
據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決
發(fā)表于 01-23 10:04
?937次閱讀
據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
發(fā)表于 01-22 15:54
?543次閱讀
(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入
發(fā)表于 01-22 14:27
?589次閱讀
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
發(fā)表于 01-22 14:04
?770次閱讀
近日,韓媒The Elec發(fā)布了一篇博文,披露了三星在智能手機(jī)領(lǐng)域的一項(xiàng)新動(dòng)向。據(jù)該報(bào)道,三星計(jì)劃在2025年第2季度正式量產(chǎn)其首款
發(fā)表于 01-15 15:42
?773次閱讀
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E
發(fā)表于 10-23 17:15
?891次閱讀
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達(dá)42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星
發(fā)表于 10-22 15:13
?1912次閱讀
近日,存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升,成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用
發(fā)表于 10-18 16:58
?1130次閱讀
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計(jì)公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同
發(fā)表于 08-10 16:50
?1504次閱讀
三星電子于6日正式宣布,其已成功實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(LPDDR5X DRAM)的
發(fā)表于 08-06 15:30
?901次閱讀
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存
發(fā)表于 08-06 08:32
?624次閱讀
評論