電子發燒友網綜合報道 ，日前，Sandisk（閃迪）發布漲價通知函顯示，Sandisk計劃從4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產品漲價，漲幅將超過10%。
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Sandisk在通知函中表示，存儲芯片行業很快將過渡到供不應求狀態，再加上近期的關稅變化，將影響供應的可用性并增加Sandisk的業務成本。因此決定從4月1日起開始實施價格上漲，漲幅將超過10%，并適用于所有面向渠道和消費者客戶的產品。同時，還將繼續進行頻繁的定價審查，預計在接下來的季度會有額外的漲幅。
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另外，閃迪還表示，我們應對計劃外需求和訂單的能力有限。請確保盡早溝通訂單的任何更改。預計任何計劃外需求都會延長交貨時間。
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Sandisk閃迪公司于美國時間2月24日宣布，已完成其與西部數據的業務分拆，并正式成為一家獨立的上市公司。
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閃迪公司首席執行官David Goeckeler表示：“我們滿懷激動地開啟了閃迪的新篇章。創新是一切的開端，而NAND技術則是強大的推動者。依托于穩健增長的市場環境，我們將把握機遇持續鞏固全球閃存創新的領導地位。煥新出發的閃迪已準備好重塑數字世界的格局，并始終致力于發揮我們的核心優勢，為公司和股東實現長期的價值增長。”
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閃迪在近期的投資者說明會上也表示，雖目前存儲市場處于短期逆風，供給增長放緩，預計今年下半年將供不應求。
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近期閃迪攜手鎧俠在ISSCC 2025推出的下一代閃存芯片（332層），正是采用該技術進行研發，優化平面布局后，位密度提升了59%，預計新型3D閃存接口速度將較其正在量產的第8代產品提升33%，達到4.8Gb/s的接口速率。
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SanDisk閃迪日前展示了其最新研發的高帶寬閃存（HBF），這是一種專為 AI 領域設計的新型存儲器架構。在設計上，HBF結合了3D NAND閃存和高帶寬存儲器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。
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對于未來的戰略部署，閃迪表示將通過節點設計以優化資本投入，戰略性引入新的、持續時間更長的節點。閃迪認為在3D NAND時代下，閃存行業資本支出在2021年已迅速到達峰值，并強調目前層數競賽已經結束，倒逼資本支出投入逐漸減少。
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TrendForce集邦咨詢認為，NANDFlash市場供需結構將有望在25年下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI及DeepSeek效應等因素將推升NANDFlash需求，從而緩解供過于求的局面，預期下半年將迎來價格回升。
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根據閃存市場預計，2025年第一季度受2024年末庫存調整影響，消費級DRAM價格小幅下跌(約3-5%)，企業級產品因需求穩定保持平穩;2025年第二季度AI芯片缺貨緩解帶動HBM(高帶寬內存)配套DRAM需求，價格環比上漲5-8%;2025年第三季度傳統消費電子旺季備貨啟動，疊加手機廠商提前采購LPDDR6，價格漲幅將擴大至10-12%;2025年第四季度供需趨于平衡，價格高位震蕩，全年綜合漲幅預計達15-18%。
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