8月6日，華虹半導(dǎo)體公布其2019年第二季度及上半年的經(jīng)營業(yè)績。得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢等，華虹半導(dǎo)體第二季度及上半年銷售額均有所成長。

銷售額小幅增長，產(chǎn)能利用率回升

數(shù)據(jù)顯示，2019年第二季度華虹半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)銷售收入2.3億美元，同比持平、環(huán)比增長4.2%；期內(nèi)溢利4990萬美元，同比增長8.7%、環(huán)比增長7.0%；歸母公司擁有人應(yīng)占利潤4336萬美元，同比下降5.3%、環(huán)比下降8.7%；毛利率31.0%，同比下降2.6個(gè)百分點(diǎn)、環(huán)比下降1.2個(gè)百分點(diǎn)。

第二季度華虹半導(dǎo)體97.8%的銷售收入來源于半導(dǎo)體晶圓的直接銷售，本季度末月產(chǎn)能為 17.5萬片，本季度產(chǎn)能利用率為93.2%。

按地區(qū)劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體來自于中國的銷售收入1.3億美元，占銷售收入總額的55.4%，同比下降5.3%，主要由于智能卡芯片的需求減少，部分被超級(jí)結(jié)產(chǎn)品的需求增加所抵消。此外，來自于日本的銷售收入同比增長43.9%，主要得益于MCU和邏輯產(chǎn)品的需求增加。

按技術(shù)平臺(tái)劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器銷售收入7960萬美元，同比下降10.2%；分立器件銷售收入9250萬美元，同比增長21.7%；模擬與電源管理銷售收入3340萬美元，同比下降11.0%；邏輯及射頻銷售收入2160萬美元，同比持平；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器銷售收入270萬美元，同比下降55.1%。

從終端市場劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體銷售收入1.5億美元，占銷售收入總額的64.0%，是其第一大終端市場；工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入4430萬美元，同比減少6.4%；通訊產(chǎn)品銷售收入2810 萬美元，同比增長9.3%；計(jì)算機(jī)產(chǎn)品銷售收入1050萬美元，同比減少5.8%。

華虹半導(dǎo)體總裁兼執(zhí)行董事唐均君在評價(jià)第二季度經(jīng)營業(yè)績時(shí)表示，第二季度分立器件平臺(tái)繼續(xù)顯示出巨大的優(yōu)勢，各產(chǎn)品的需求都在增加，尤其是超級(jí)結(jié)、IGBT和通用MOSFET，并預(yù)計(jì)分立器件在未來的需求仍將持續(xù)增長。此外，得益于中國、北美和其他亞洲國家市場的強(qiáng)勁表現(xiàn)，來自模擬與電源管理平臺(tái)的銷售收入環(huán)比增長近41%。

綜合今年上半年，華虹半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)銷售收入4.5億美元，同比增長2.5%；期內(nèi)溢利為9650萬美元，同比增長12.1%；母公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利9082.6萬美元，同比增長5.7%；毛利率為31.6%，同比下降1.3個(gè)百分點(diǎn)；月產(chǎn)能由17.2萬片增至17.5萬片。

華虹半導(dǎo)體在報(bào)告中指出，上半年華虹半導(dǎo)體銷售收入增長主要得益于平均銷售單價(jià)上升；毛利率下降主要由于產(chǎn)能利用率較低、原材料的單位成本及折舊成本增加，部分被平均銷售單價(jià)上升所抵銷。

回顧上半年，全球半導(dǎo)體市場形勢受到上半年較高庫存的影響，晶圓代工普遍表現(xiàn)不佳，華虹半導(dǎo)體得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢等，第二季度及上半年銷售額均有所成長。

唐均君指出，盡管同時(shí)面臨來自市場、技術(shù)、客戶以及即將投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰(zhàn)，但經(jīng)過努力付出，華虹半導(dǎo)體的整體產(chǎn)能利用率已回升到90%以上，“我們非常有信心2019年下半年的表現(xiàn)將比上半年更為強(qiáng)勁。”

無錫工廠Q4試生產(chǎn)300mm晶圓

展望第三季度及下半年，華虹半導(dǎo)體持樂觀態(tài)度。據(jù)其預(yù)計(jì)，第三季度銷售收入約2.38億美元，毛利率約31%。

在二季報(bào)及半年報(bào)中，華虹半導(dǎo)體重點(diǎn)提到了華虹無錫300mm晶圓制造工廠。報(bào)告指出，300mm晶圓項(xiàng)目正按計(jì)劃平穩(wěn)推進(jìn)，廠房和潔凈室已完成建設(shè)，潔凈室于第二季度通過認(rèn)證。同時(shí)，第一批1萬片產(chǎn)能所需的大部分機(jī)器設(shè)備已搬入，目前正處于安裝和測試階段。

在技術(shù)方面，55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90納米嵌入式閃存技術(shù)與90納米BCD技術(shù)前期研發(fā)順利；同時(shí)，根據(jù)市場研究與技術(shù)評估情況，通過了開發(fā)12英寸功率器件工藝方案，確定了華虹無錫12英寸項(xiàng)目IC + Power的規(guī)劃。

無錫工廠將于2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓，55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)將率先在第四季度進(jìn)入量產(chǎn)。工程師團(tuán)隊(duì)和客戶正密切合作開發(fā)幾個(gè)新產(chǎn)品，為初期爬坡試生產(chǎn)作準(zhǔn)備。