華為全新一代先鋒影像美學(xué)旗艦Pura80系列手機重磅發(fā)布,其中有一項產(chǎn)品定位格外吸引業(yè)界的關(guān)注:業(yè)界首款支持星閃車鑰匙的智能手機!
發(fā)表于 06-13 11:09
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在智慧城市的建設(shè)進程中,照明系統(tǒng)的智能化與節(jié)能化至關(guān)重要。近日,立洋光電推出業(yè)界首款三合一智慧儲能路燈產(chǎn)品,在智慧城市照明領(lǐng)域掀起了一股綠色科技新風(fēng)潮。
發(fā)表于 06-11 16:55
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計用以保護移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù),用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉,三星
發(fā)表于 02-26 15:23
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據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
發(fā)表于 01-23 15:05
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據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級
發(fā)表于 01-23 10:04
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據(jù)外媒SAMMY FANS報道,三星計劃在2025年推出四款折疊屏手機,在折疊屏領(lǐng)域再展宏圖。 此次新品中,三星會照例更新Flip和Fold產(chǎn)品線,
發(fā)表于 01-22 17:01
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據(jù)外媒報道,三星計劃在2025年推出一系列創(chuàng)新的折疊屏手機,其中最為引人注目的是其首款“三折疊”機型——Galaxy Z Tri-Fold。
發(fā)表于 01-22 15:40
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據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出
發(fā)表于 01-22 14:04
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在CES 2025開幕前夕,三星半導(dǎo)體憑借其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù),獲得了CES 2025在移動設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域的創(chuàng)新獎。
發(fā)表于 12-31 15:15
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
發(fā)表于 10-23 17:15
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三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星
發(fā)表于 10-22 15:13
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近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平,更在
發(fā)表于 10-18 16:58
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