6月28日消息，作為先進半導體器件的晶圓清洗技術領域中領先的設備供應商，盛美半導體設備（NASDAQ:ACMR）近日發布了Ultra C VI單晶圓清洗設備，這是Ultra C清洗系列的最新產品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取存儲器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗，以實現縮短存儲產品的生產周期。這款新產品以盛美成熟的多腔體技術為基礎，進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體，對比盛美現有的12腔設備Ultra C V系統，其腔體數及產能增加了50%，而其設備寬度不變只是在長度有少量增加。

“存儲產品的復雜度不斷提高，但仍然對產量有嚴格的要求。”盛美董事長王暉博士表示：“當清洗工藝的時間逐漸加長或開始采用更復雜的干燥技術時，增加清洗腔體能有效解決產能問題，讓先進存儲裝置制造商保持甚至縮短產品的生產周期。我們的18腔清洗設備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數量配置，在實現高產能（wafer-per-hour）的同時，兼顧了與工廠自動化能力的匹配，同時也能避免因腔體數量過多而面臨的設備宕機壓力。”

Ultra C VI

Ultra C VI可進行低至1y節點及以下節點的先進DRAM產品和128層及以上層數的先進3D NAND產品的單晶圓清洗。該設備可根據應用和涉及的化學方法運用于各種前道和后道工藝，如聚合物去除、中段鎢或后段銅工藝的清洗、沉積前清洗、蝕刻后和化學機械拋光（CMP）后清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。

清洗過程中可使用多種化學組合，包括標準清洗（SC1，SC2）、氫氟酸（HF）、臭氧去離子水（DI-O3）、稀硫酸雙氧水混合液（DSP，DSP +）、有機溶劑或其他工藝化學品等。最多可對其中兩種化學品進行回收，節約成本。該設備還可以采用可選的物理輔助清洗方法，例如二流體氮氣霧化水清洗或者盛美專有的空間交變相位移（SAPS）和時序能激氣穴震蕩（TEBO）兆聲清洗技術。可選配異丙醇（IPA）干燥功能，應用于具有高深寬比的圖形片。此外，由于該設備與盛美現有設備的寬度一致，因此有助于提高晶圓廠的空間利用率，并進一步降低成本。

盛美計劃在2020年第三季度初期交付Ultra C VI給一家領先的存儲制造廠進行評估和驗證。

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