7月2日消息，據(jù)外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。

去年8月SK海力士宣布成功研發(fā)出新一代 DRAM 內(nèi)存 / 顯存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量產(chǎn)這一代 HBM2E 存儲。

SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。

HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學(xué)習(xí)加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機(jī)等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用于在未來主導(dǎo)氣候變化、生物醫(yī)學(xué)、宇宙探索等下一代基礎(chǔ)、應(yīng)用科學(xué)領(lǐng)域研究的Exascale 超級計算機(jī)（能夠在一秒內(nèi)執(zhí)行一百億億次計算的計算機(jī)）。

官方稱其 HBM2E 擁有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的帶寬、 共 1024 個 I / O（輸入 / 輸出）。HBM2E 通過 TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆 16Gb DRAM 芯片，容量達(dá)16GB，是上一代產(chǎn)品（HBM2）兩倍以上的容量。

值得一提的是，SK 海力士也是第一個研發(fā)出 HBM 存儲的廠商。首發(fā)于 2015 年的 AMD Radeon Fury 顯卡中。

海力士還表示，HBM2E 是適合深度學(xué)習(xí)加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機(jī)等新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案，將用于更多合作伙伴的產(chǎn)品。

吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer， CMO）表示：“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引領(lǐng)著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術(shù)革新。公司將通過本次HBM2E量產(chǎn)強(qiáng)化高端存儲器市場上的地位，并倡導(dǎo)第四次工業(yè)革命。”

注：

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）

-相較傳統(tǒng)DRAM，借助TSV技術(shù)飛躍性地提升數(shù)據(jù)處理速度的高性能、高帶寬存儲器產(chǎn)品

TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)）

- 在DRAM芯片打上數(shù)千個細(xì)微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)

- 該技術(shù)在緩沖芯片（buffer chip）上將數(shù)個DRAM芯片堆疊起來，并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。

- 相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術(shù)能夠縮減30%體積，并降低50%能耗。

數(shù)據(jù)處理速度換算規(guī)則

- 1GB = 8Gb

- 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1，024個數(shù)據(jù)I/Os進(jìn)行運(yùn)算 = 3686.4Gbps

- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s （Gb -》 GB換算）

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