三星將中斷12nm DRAM芯片開發，直接跨入11nm
近日，據韓媒報道稱，三星的研發人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發的命令，要求直接研發1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發11nm工藝。
在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經各大廠商都專心研究28nm DRAM芯片時，三星同樣跨過了28nm，直接開始研發25nm工藝，最終取得了成功。
這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距，占據行業領先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發工作。
綜合整理自 比特網 萬仟網 中文科技資訊
審核編輯 黃昊宇
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