降本路徑

TOPCon降本主要集中在四個方向：

1）金屬化成本降低，通過SMBB、激光轉(zhuǎn)印和柵線圖形優(yōu)化等技術(shù)降低銀漿使用量；

2）硅材料降本，目前N型硅片較P型存在6%-8%的溢價，通過大尺寸薄片化降低硅片成本，目前減薄帶來的價格下降低于節(jié)省的硅料成本，未來不排除電池廠尋求代切片服務(wù)代替購買成品的可能性；

3）通過提高單臺產(chǎn)能達到降本；

4）提升工藝，雙面鈍化工藝以及摻雜技術(shù)優(yōu)化提升效率達到降本目的。同時TOPCon主流的LPCVD工藝存在石英管/舟損耗問題，目前可以通過涂層工藝將石英管壽命提升至4-12個月，石英舟壽命約6個月對應(yīng)清洗周期15天，當前每年更換2-3次爐管，石英件成本200萬/GW，仍存在較大降本空間。

TOPCon量產(chǎn)效率突破25%，效率提升路徑清晰。目前先導(dǎo)智能的GW級TOPCon整線量產(chǎn)效率突破25%。下階段TOPCon引進激光SE技術(shù)預(yù)計可將轉(zhuǎn)換效率提升至25.5%。后續(xù)通過引入Poly finger以及雙面Poly技術(shù)可將轉(zhuǎn)換效率提升至26%以上。進一步細分，柵線高寬比優(yōu)化以及金屬復(fù)合提升分別帶來約0.30%效率提升，背面吸收光優(yōu)化提升約0.10%，正背面鈍化提升以及金屬接觸提升預(yù)計也可分別帶來0.15%效率提升；硅片品質(zhì)也可帶來0.25%左右的效率提升。

TOPCon多種技術(shù)路線并存，PECVD潛力值得期待

TOPCon核心工藝-沉積氧化硅與多晶硅層

TOPCon制備關(guān)鍵-氧化層與摻雜多晶硅層的沉積。根據(jù)氧化層和摻雜多晶硅層的沉積方法的不同,TOPCon存在多種制備路徑。氧化硅層制備中，濕化學(xué)氧化法多屬于實驗室制備方案，工業(yè)上以熱氧化和PEALD為主。摻雜多晶硅薄膜層則使用薄膜沉積設(shè)備，一般劃分為PVD、CVD以及ALD技術(shù)。PVD技術(shù)沉積速率最快但后盾均勻性較差，可應(yīng)用于HJT的透明電極；CVD技術(shù)主要包含PECVD和LPCVD應(yīng)用最為廣泛，CVD設(shè)備成熟度較高，沉積速率和鍍膜均勻性也較為均衡；ALD設(shè)備沉積速率最慢但均勻性最好。

Topcon主流量產(chǎn)路線

TOPCon存在四種主流量產(chǎn)路徑，LPCVD+磷擴占據(jù)上半年90%的出貨。

1）LPCVD法，即低壓化學(xué)氣相沉積，在低壓條件下熱分解氣體源或化學(xué)反應(yīng)沉積所需薄膜，目前行業(yè)占比約67%，國內(nèi)外起步較早，基礎(chǔ)工藝成熟但原位摻雜速率較慢一般配合磷擴散爐且存在較重的繞鍍問題，但拉普拉斯使用水平插片可將繞鍍控制在10mm以內(nèi)，預(yù)計年底推廣；

2）PECVD法，即等離子體增強化學(xué)氣相沉積，借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積薄膜，目前行業(yè)占比約24%，PECVD的優(yōu)勢在于可以實現(xiàn)SiO2隧穿層，poly層，原位摻P三合一，減少設(shè)備數(shù)量提升生產(chǎn)效率，但PECVD沉積的SiO2隧穿層均勻性較差影響轉(zhuǎn)換效率，同時存在一定的繞鍍的問題；

3）PEALD+PECVD法，使用PEALD沉積SiO2隧穿層解決原有的不均勻性問題，同時使用PECVD可以較好的完成poly層沉積和原位摻雜，減少繞鍍；

4）PVD法，即物理氣相沉積，利用氧氣電離形成隧穿、硅源靶材轟擊的方式進行沉積Poly，不存在繞鍍問題，但受制于設(shè)備價格高且良率約95%低于LPCVD的97%，產(chǎn)業(yè)化進度較慢，行業(yè)占比約9%。

TOPCon設(shè)備各技術(shù)路線進展

LPCVD線路-50GW級別量產(chǎn)，技術(shù)明確正處于快速擴張期

LPCVD技術(shù)路線成膜速率在5-8nm/min，使用單插時4300pcs，雙插時8000pcs具備產(chǎn)能大，氧化生長質(zhì)量高等優(yōu)勢，同時LAPLACE水平插片可將繞鍍控制在10mm以內(nèi)。GW級別的量產(chǎn)效率達到24.9%，研發(fā)實驗室效率來到了25.7%，同時GW級別的產(chǎn)品良率達到97%，在效率、良率、產(chǎn)能以及成本上達成了較好的兼顧。目前仍存在的問題是石英件的損耗，以目前每年200萬元/GW的成本計算，預(yù)計增加0.002元/W的成本，同時沉積速率仍然較慢，存在改良空間。

PECVD線路-16GW規(guī)模待產(chǎn)，潛力值得期待

PECVD技術(shù)路線成膜速率在10nm/min，采用原位三合一方式，生產(chǎn)效率較高設(shè)備機臺數(shù)更低，繞鍍面積在2mm以內(nèi)，但良率以及效率數(shù)據(jù)仍舊等待GW級驗證。但PECVD生產(chǎn)的氧化層不均勻?qū)е滦孰x散性較高，原位摻雜也會導(dǎo)致陶瓷環(huán)導(dǎo)電縮短石墨舟的維護周期，同時也存在PH3消耗過高等問題。PECVD設(shè)備投入低于LPCVD，生產(chǎn)效率較高若良率驗證具備優(yōu)勢，未來有望迎來較大規(guī)模擴張。

PVD線路-6GW量產(chǎn)，保養(yǎng)周期長良率數(shù)據(jù)不理想

PVD技術(shù)路線由江蘇杰太主導(dǎo)，磁控濺射需要用到靶材，雖然PVD不存在繞鍍現(xiàn)象，但PVD設(shè)備每30天需要保養(yǎng)約2天，同時更換靶材也需要3天時間，GW級別驗證的量產(chǎn)效率為24.5%，良率僅為95%，明顯低于LPCVD路線，同時設(shè)備價格也高于LPCVD路線，現(xiàn)階段PVD路線優(yōu)勢不明顯，未來擴產(chǎn)速度將會低于LPCVD和PECVD。

審核編輯：郭婷