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共創寬禁帶半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發展

安森美 ? 來源:未知 ? 2023-10-08 19:15 ? 次閱讀
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寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據,寬禁帶半導體市場的全球規模預計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元,年復合增長率達到 17.5%。其中,碳化硅(SiC)半導體市場規模較大,占據了市場份額的大部分。預計未來幾年,隨著新能源汽車的普及和5G基礎設施建設的加速推進,寬禁帶半導體市場將持續保持高速增長。

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導體論壇將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區線下舉辦,分享寬禁帶半導體領域的技術發展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產品經理Jerry也將在現場為大家概述安森美的EV充電設計生態系統和應用于充電樁智能電源產品和方案,包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅動器等,以及參考設計和支持工具,助您簡化設計,最大化能效以及減小尺寸。


講主題

碳化硅技術實現下一代直流快速充電樁的發展

時間地點

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區





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  • 參會當天午餐券

  • 現場抽獎


本次論壇同時提供在線直播,如無法線下參與,論壇主辦方也將于10月10日通過郵件向提前注冊的參會人發送在線直播地址。



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原文標題:共創寬禁帶半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發展

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