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      【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性

      jf_pJlTbmA9 ? 來源：東芝半導(dǎo)體 ? 作者：東芝半導(dǎo)體 ? 2023-11-23 09:09 ? 次閱讀

      Ciss、Crss和Coss的電容特性是影響MOSFET開關(guān)特性的重要因素。

      Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs）

      ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(zhǎng)。

      Crss：反向轉(zhuǎn)移電容（Crss＝Cgd）

      ?柵極-漏極電容：Crss越大，漏極電流上升特性越差，這不利于MOSFET的損耗。高速驅(qū)動(dòng)需要低電容。

      Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）

      ?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。

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      圖3-11（a）MOSFET的電容模型

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      圖3-11（b）MOSFET的典型電容特性

      文章來源：東芝半導(dǎo)體

      審核編輯：湯梓紅

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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