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三菱電機將與安世攜手開發SiC功率半導體

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-24 12:28 ? 次閱讀

2023年11月,三菱電機、安世半導體Nexperia)共同宣布開發高性能碳化硅(SiC) mosfet的分立產品功率半導體。兩家公司將共同推進將sic寬頻半導體的能源效率和性能提高到新水平的同時,滿足高效率分立式功率半導體需求增長的開發。

目前,半導體供應量尚未得到確認,預計最早將在2023年之內開始供應。

安世半導體是總部設在荷蘭的中國聞泰科技的子公司。今年11月初,安世半導體出售了將于2021年收購的英國nwf晶圓廠。

雖然是同一電力半導體公司,但是三菱電機與安世半導體的另一個焦點、電子電力半導體為中心的“各離散元件的組合”,高性能sic模塊產品的信賴性的性能提供業界名聲;onse半導體元件的開發、生產、認證領域具有幾十年的豐富經驗。目前還提供高品質的寬帶配件。

安世半導體雙極性分立器件業務部首席副總經理兼總經理Mark Roeloffzen表示:“與三菱電機的雙贏戰略伙伴關系象征著nexperia在硅碳素技術上的發展。”與nexperia的分立產品及配套技術的高品質標準和專業性,將創造兩家公司間積極的協同效應,最終幫助客戶在工業、汽車及消費者市場上提供高效率的產品。”

三菱電機半導體與器件部執行官兼集團總裁Masayoshi Takemi博士表示:“nexperia是在半導體領域擁有高品質分立技術的業界領先企業。為最大限度地利用兩家公司的半導體技術,成功簽訂了共同開發合同,感到非常高興。”

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