來源：太紫微公司

近日，光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開創(chuàng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。

眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體芯片制造過程中所必須的關(guān)鍵材料，其研發(fā)和生產(chǎn)過程復(fù)雜且嚴(yán)格。光刻膠是指經(jīng)過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，主要應(yīng)用于積體電路和分立器件的細(xì)微圖形加工。
光刻工藝流程包括前處理、涂膠、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)曝光、PEB(Post Exposure Bake)、顯影、硬烘烤和檢驗(yàn)等八個(gè)環(huán)節(jié)。在這些環(huán)節(jié)中，光刻膠的性能直接影響到集成電路芯片的質(zhì)量和性能。
光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(zhǎng)(小于400納米)進(jìn)行曝光。由于目前光刻機(jī)曝光光源一共有六種，分別是紫外全譜（300～450nm）、 G 線（436nm）、 I 線（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和極紫外（EUV），相對(duì)應(yīng)于各曝光波長(zhǎng)的光刻膠也應(yīng)運(yùn)而生，對(duì)應(yīng)分別為，g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF光刻膠、 ArF光刻膠、EUV光刻膠。

該產(chǎn)品對(duì)標(biāo)國(guó)際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國(guó)外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅(jiān)膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對(duì)后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。

值得注意的是，太紫微公司成立于2024年5月，由華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家研究中心團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立。團(tuán)隊(duì)立足于關(guān)鍵光刻膠底層技術(shù)研發(fā)，在電子化學(xué)品領(lǐng)域深耕二十余載。

企業(yè)負(fù)責(zé)人、英國(guó)皇家化學(xué)會(huì)會(huì)員、華中科技大學(xué)教授朱明強(qiáng)表示：“以原材料的開發(fā)為起點(diǎn)，最終獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)，這只是個(gè)開始，我們團(tuán)隊(duì)還會(huì)發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場(chǎng)景下的KrF與ArF光刻膠，為國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜?！?/span>

太紫微核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員（前排左一為朱明強(qiáng)教授）

太紫微公司致力于半導(dǎo)體專用高端電子化學(xué)品材料的開發(fā)，并以新技術(shù)路線為半導(dǎo)體制造開辟新型先進(jìn)光刻制造技術(shù)，同時(shí)為材料的分析與驗(yàn)證提供最全面的手段。

“無論是從國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的背景來看，還是從摩爾定律演變的規(guī)律展望未來，‘百家爭(zhēng)鳴’的局面已形成，光刻領(lǐng)域還會(huì)有很多新技術(shù)、新企業(yè)破繭成蝶，但擁有科技創(chuàng)新的力量是存活下去的必要前提。”太紫微外聘專家顧問表示。

審核編輯 黃宇