LMG342xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉換速率,可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,當實現零電壓切換時,該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。
*附件:LMG342xR050 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600 V 50 mΩ GaN FET 數據表.pdf
高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告,從而簡化了器件負載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。
特性
- 符合 JEDEC JEP180 硬開關拓撲的要求
- 600V 硅基氮化鎵 FET,帶集成柵極驅動器
- 集成高精度柵極偏置電壓
- 200V/ns FET 抑制
- 3.6MHz 開關頻率
- 20V/ns 至 150V/ns 轉換速率,用于優化開關性能和 EMI 抑制
- 采用 7.5V 至 18V 電源供電
- 強大的保護
- 逐周期過流和鎖存短路保護,具有 < 100ns 響應
- 在硬開關時可承受 720V 浪涌
- 針對內部過熱和 UVLO 監控進行自我保護
- 高級電源管理
- 數字溫度 PWM 輸出
- LMG3426R050 包括零電壓檢測 (ZVD) 功能,便于軟開關轉換器
參數
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